搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 科研人员”相关记录38条 . 查询时间(0.171 秒)
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
自旋电子学技术是后摩尔时代的核心关键技术之一，在磁存储、逻辑运算、仿生芯片、类脑计算、量子计算等领域都有着广阔的前景。自旋轨道力矩效应提供了局域信息写入机制，利用电子的自旋属性实现磁矩的高效翻转，是目前自旋电子学领域的研究热点。受限于自旋霍尔角和电阻率的正相关性，不能通过无限提高自旋霍尔角来实现临界电流的降低。如何平衡电阻率和自旋霍尔角是低功耗自旋电子学器件走向商业化的一个核心科学问题。
国内外大量的空间飞行实践表明，空间带电粒子诱发的充放电效应（SESD，Spacecraft charging induced Electro-Static Discharge）是空间天气导致航天器故障的主要方式之一，且故障现象主要表现为星用电子器件和电路系统出现数据或逻辑状态跳变、工作模式非受控切换、执行机构操作异常等可恢复性“软错误”。由于SESD故障宏观现象与单粒子效应（SEE，Single ...
近2022年来，超强激光技术的迅速发展，尤其是10-100PW超强激光时代的到来，为量子电动力学（QED）的理论验证提供了前所未有的极端实验条件。利用超强激光条件下的辐射自旋极化机制，可以在fs（10-15s）时间尺度内产生高度自旋极化的电子（正电子）束。但是，基于该QED效应产生的自旋极化方向垂直于电子运动方向，不能满足高精度高能物理对纵向极化电子束的需求。电子束的螺旋度信息（即方向平行或反平行...
航天产品的质量和寿命取决于产品设计、研制生产和试验测试全流程的可靠性，而集成电路安全可靠是航天电子系统在轨稳定工作的基础。现代集成电路制造流程中，工艺制造和设计环节均可引入芯片缺陷，在使用过程中可导致失效等。随着芯片集成度的提高,芯片正面的金属互连层不断增加，倒封装工艺得到广泛应用，从芯片正面定位缺陷位置变得愈发困难。利用激光从背部开封装的芯片进行的非接触式无损缺陷定位技术，目前在集成电路静态/动...
中国科学院国家空间中心科研人员成功自主研发出集成电路缺陷激光定位装置（图）
集成电路 激光定位 半导体器件
2023/8/22
航天产品的质量和寿命取决于产品设计、研制生产和试验测试全流程的可靠性，而集成电路安全可靠是航天电子系统在轨稳定工作的基础。现代集成电路制造流程中，工艺制造和设计环节均可引入芯片缺陷，在使用过程中可导致失效等。随着芯片集成度的提高,芯片正面的金属互连层不断增加，倒封装工艺得到广泛应用，从芯片正面定位缺陷位置变得愈发困难。利用激光从背部开封装的芯片进行的非接触式无损缺陷定位技术，目前在集成电路静态/动...
近日，上海技物所王林、陈效双、陆卫研究团队和东华大学、意大利拉奎拉大学相关团队共同合作，通过精确操控第二类狄拉克费米子态诱导布洛赫自旋电子单向散射，实现高频信号传递，相关成果以“High-frequency rectifiers based on type-II Dirac fermions”（DOI: 10.1038/s41467-021-21906-w）为题发表于《自然-通讯》（Nature ...
柔性可穿戴电子由于具有轻薄、柔软、亲肤的优势，已被广泛应用于与人体健康相关的各项生理指标监测之中，极大推动了传统医疗的实时化、个性化发展进程。然而，在长期监测过程中，柔性可穿戴电子设备可能面临多种不断变化的环境条件（如机械力、温度或湿度），致使其结构、功能受损，影响其工作的稳定性，进而限制其在多种环境中的实际应用。针对这些问题，生命科学与技术学院仿生工程与生物力学研究所（BEBC）研究人员近日受邀...
场效应晶体管（Field Effect Transistor, FET）是芯片与集成电路的基本单元，由金属电极、半导体电荷传输层和绝缘电介质层三部分组成。近年来，电气设备和电子产品小型化、轻量化、智能化的发展趋势对FET等基础电学元器件提出了向高性能、微型化、高频化和柔性化发展的需求。进入21世纪后，随着多种具有共轭π键体系聚合物和小分子的合成，有机半导体材料的优良电荷传输特性已被较为充分地发掘，...
由台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）与新竹交通大学合作组成的研究团队17日在台北宣布，在共同进行单原子层氮化硼的合成技术上取得重大突破，成功开发出大面积晶圆尺寸的单晶氮化硼成长技术。该成果将于今年3月在国际知名学术期刊《自然》发表。研究团队负责人之一、新竹交通大学教授张文豪介绍，为了提升半导体硅晶片的效能，积体电路中的电晶尺寸不断微缩，目前即将达到传统半导体材料的物理极限。因此全球科学家不断探...
应中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心激光与光学晶体研究课题组武安华研究员的邀请，在中国科学院“俄乌白”特别交流计划（Plan B）的资助下，俄罗斯国立科技大学Elena Mishina教授，俄罗斯科学院约飞技术物理研究所Victor Pavlov教授、Alexandara Kalashnikova博士于3月30-4月7日访问上海硅酸盐所。Mishina教授于4月1日作了“Impact of...
2019年2月27日，中国科技网·科技日报报道，西安交通大学微电子学院耿莉教授团队找到有源整流器芯片新结构和延迟控制方法。在无线能量传输领域，处于能量接收端的电源芯片通常包括整流器、DC-DC变换器和LDO三级结构。提升各级结构的效率有利于提升无线能量传输电源系统的整体效率。有源整流器相比于传统的二极管整流器在低压下具有更高的效率，但是，其转换效率，尤其是其轻负载效率一直受制于结构中的连续时间比较...
近日，西安交通大学电信学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室刘明教授课题组通过构建YIG/Cu/Pt异质材料，创新性地提出一个巧妙的界面调控机制，采用电极化离子液体的调控方式，成功将YIG电磁转换效率提高到390 Oe/V。第一性原理计算表明，离子液体加电压后引起的YIG和Cu界面处的电荷积聚，会引起Cu原子中电子云的畸变，当电压达到一定值后，Cu原子中会出现磁性。虽然这种磁性只在界面处存在，但是也足...
