搜索结果: 1-7 共查到“电子科学与技术 尖端”相关记录7条 . 查询时间(0.051 秒)
日本经济产业省将与IBM合作开发尖端半导体
日本经济产业省 IBM 半导体
2021/6/11
日本经济产业省将与美国IBM合作，强化尖端半导体的开发。IBM将加入日本经济产业省的共同开发框架。在半导体设计和基础研方面领先的IBM与在半导体生产设备方面占有优势的日本企业合作，有利于尽快确立制造技术。还计划在半导体供应链方面强化日美合作。
由台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）与新竹交通大学合作组成的研究团队17日在台北宣布，在共同进行单原子层氮化硼的合成技术上取得重大突破，成功开发出大面积晶圆尺寸的单晶氮化硼成长技术。该成果将于今年3月在国际知名学术期刊《自然》发表。研究团队负责人之一、新竹交通大学教授张文豪介绍，为了提升半导体硅晶片的效能，积体电路中的电晶尺寸不断微缩，目前即将达到传统半导体材料的物理极限。因此全球科学家不断探...
天津大学科研团队用“高频超声波”领跑尖端生物科技（图）
天津大学 科研团队 高频超声波 尖端生物科技
2018/12/12
一颗芝麻粒大的谐振器能把液体缩小到“一滴水的十亿分之一”、一把“声波镊子”能精准操控细胞和微纳米颗粒、一种新技术能够“吸引”分子聚集，提升癌症抗原浓度十万倍......近日，天津大学微机电系统团队在胡小唐教授、庞慰教授、段学欣教授的指导下，围绕“高频超声波器件”研究，用“超高频率”连续取得重大技术突破，三项成果被国际一流期刊选为封面文章重点推介，得到学界广泛关注和认可。
锥形与金字塔形场发射尖端电学特性分析
场发射 仿真 真空电子器件
2016/8/24
场致电子发射具有高效、响应快等优点，有着广泛的应用前景。锥形和金字塔形尖端是两种常见的场发射尖端结构。主要分析了这两种尖端结构的场发射电学特性，并在此基础上提出了进一步实现结构优化的途径。为此，建立了两种尖端的三维模型，并利用有限元法深入讨论了结构尺寸，包括尖端曲率半径、尖端与阳极间距以及尖端高度对电场分布以及电场强度的影响。结果表明，减小尖端曲率半径、缩短尖端与阳极间距、以及选择适当的锥体高度是...
2010日立化成尖端技术研讨会在上海交通大学举行（图）
日立化成工业株式会社 2010 日立化成尖端技术 研讨会 上海交通大学
2010/11/17
2010年11月11日下午，2010日立化成尖端技术研讨会在徐汇校区浩然高科大厦演讲厅召开。日立化成尖端技术研讨会由日立化成工业株式会社主办，上海交通大学协办，每隔二年在我校举行。会议主要就微电子产业发展过程中涉及的最新材料进行研讨，本次会议着重讨论了绿色能源和新能源领域所使用的高科技含量材料的发展前景。会上，我校化学化工学院杨立教授作了题为“动力型锂离子电池的材料技术”的演讲。
计算场发射系统尖端形状系数的半经验公式
场发射 系统发射尖端 尖端形状系数
2009/12/29
本文提出了一般场发射系统尖端形状系数β的计算公式:β≈0.2/[(r0+h)ln(2h/r0)]。用该公式和数值计算法以及D.Selidovkin,W.Swanson和P.Dyke等人提出的相应公式,分别对尖端呈半球形、椭球形、旋转抛物形和双曲形四种场发射系统的β值进行了计算和比较。结果表明,用本文的公式所得的β值与电子计算机的数值计算结果基本上是一致的。