搜索结果: 1-11 共查到“电子科学与技术 场发射”相关记录11条 . 查询时间(0.108 秒)
锥形与金字塔形场发射尖端电学特性分析
场发射 仿真 真空电子器件
2016/8/24
场致电子发射具有高效、响应快等优点，有着广泛的应用前景。锥形和金字塔形尖端是两种常见的场发射尖端结构。主要分析了这两种尖端结构的场发射电学特性，并在此基础上提出了进一步实现结构优化的途径。为此，建立了两种尖端的三维模型，并利用有限元法深入讨论了结构尺寸，包括尖端曲率半径、尖端与阳极间距以及尖端高度对电场分布以及电场强度的影响。结果表明，减小尖端曲率半径、缩短尖端与阳极间距、以及选择适当的锥体高度是...
计算场发射系统尖端形状系数的半经验公式
场发射 系统发射尖端 尖端形状系数
2009/12/29
本文提出了一般场发射系统尖端形状系数β的计算公式:β≈0.2/[(r0+h)ln(2h/r0)]。用该公式和数值计算法以及D.Selidovkin,W.Swanson和P.Dyke等人提出的相应公式,分别对尖端呈半球形、椭球形、旋转抛物形和双曲形四种场发射系统的β值进行了计算和比较。结果表明,用本文的公式所得的β值与电子计算机的数值计算结果基本上是一致的。
计算机控制的探孔场发射显微镜系统
探孔场发射显微镜 计算机控制 单个晶面的逸出功
2009/10/20
由Apple Ⅱ微机控制的探孔场发射显微镜系统已研制成功,并可用其测量单个晶面的逸出功。被探测微区的探孔电流由探测荧光屏,光电倍增管和电流放大器的联合体进行测量。观察屏电压(阳极电压)由D/A转换器调节。场发射体总电流和探孔电流数据由A/D转换器采集。测量系统校准后,用BASIC语言编写的程序处理所测得的数据和计算Fowler-Nordheim图参数,从而得到被测的单个晶面的逸出功。用此系统已测得...
界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响
碳纳米管 场发射 绝缘势垒
2010/2/21
以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的，在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层，以二氧化硅层作为绝缘势垒，然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT，来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为：Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上，从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同，理论上分析了界面势垒...
W[111]尖端场发射电子枪的工作特性
场发射电子枪 W[111]尖端 虚源半径
2009/9/23
本文报道了单晶W[111]尖端的制作,以及由W[111]尖端阴极,第一、二阳极组成的三极场发射电子枪(FEG)的工作特性。实验结果表明,这种FEG在枪室真空为5×10-7Pa,加速电压在30kV的条件下,其虚源半径为1.6nm;亮度为3.8×109A/cm2.sterad;场发射电流为1μA时,束流稳定性为5%(10min内)。说明它是一种较理想的点状电子源,在实际应用中具有广泛发展前景。
LaB6场发射阵列牺牲层制备工艺
六硼化镧 场发射 牺牲层 溅射
2009/8/24
分析了传统牺牲层材料铝在制备LaB6场发射阵列时存在的问题，利用溅射及热蒸发工艺依次制备铝膜和氧化锌膜，制备出了一种新型的牺牲层——ZnO-Al复合牺牲层，并对所制备的阵列进行了测试。实验结果表明：ZnO-Al复合牺牲层能够有效地解决电化学腐蚀的问题，所制备出的LaB6场发射阵列尖锥保持了完好的形貌，其发射特性也达到了最初制备场发射阵列的要求，说明ZnO-Al复合牺牲层是作为LaB6场发射阵列牺牲...
场发射栅孔阵列的制备
场发射阵列 栅极孔 局部氧化 湿法刻蚀
2009/8/24
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术，利用2.6 μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1 μm的场发射阴极的栅极空腔阵列，实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列。硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液，刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加。同时，由于刻蚀溶液具有较高的Si/SiO2 刻蚀选择比，栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度，栅极孔径主...
六硼化镧场发射阴极阵列的制作及特性
场发射阵列 氧化 刻蚀方法
2009/8/21
采用氧等离子体氧化刻蚀工艺，制备出尖锐的六硼化镧（LaBLaB6）微尖锥场发射阵列。在二极管结构中测试了LaB6-FEAs的场发射性能，得到了真空度为5×10-5 Pa 下的I-V曲线及相应的Fowler-Nordheim节点。结果表明，由于LaBLaB6材料较低的逸出功，使得阴极的开启电压较小，开启场仅为7 V/μm。此外，将氧等离子体氧化刻蚀方法与氩氧等离子体刻蚀方法和电化学刻蚀方法进行了比较...
同心圆环型场发射阵列阴极的粒子模拟
粒子模拟 场致发射 阴极
2009/2/8
模拟了同心圆环型场发射阵列阴极的特性。采用时域有限差分法计算了电场，利用Fowler-Nordheim方程计算锥尖处的发射电流，利用Lorentz方程计算了电子的运动轨迹。得到了微阴极电子的运动轨迹、相空间图以及电子束的发散度、亮度等，结果表明该结构能形成良好的聚焦电子束。
利用取向纳米碳管制备场发射型平面显示器的研究（图）
纳米碳管 场发射型 平面显示器
2009/2/2
纳米碳管物理性能研究是目前研究的热点和难点，国内在这方面由于各方面条件的限制，一直进展不快。本实验室经过数年的不懈努力和探索，在纳米碳管可控制制备，尤其是在单根纳米碳管的输运等方面取得了可喜的成果，具体如下：
1. 利用溶液法制备催化剂，结合CVD方法，制备成功克量级单层纳米碳管。单层纳米碳管的大规模制备，是探索其物理、化学性质，尤其是实现工业化生产和应用的先决条件。