搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 研究进展”相关记录64条 . 查询时间(0.715 秒)
南方科技大学林苑菁/香港理工大学郑子剑团队Science Advances：基于织物单片集成的无线表皮生物传感腕带的最近研究进展（图）
林苑菁 郑子剑 Science Advances 织物单片 生物传感 可穿戴 传感器件
2023/11/29
近日，南方科技大学林苑菁课题组与香港理工大学郑子剑课题组在柔性可穿戴传感器件领域取得研究进展，相关研究以“A Monolithically Integrated In-textile Wristband for Wireless Epidermal Biosensing”在国际顶级期刊Science Advances上发表。南科大-港理工2021级联培博士生马小浩为论文第一作者，林苑菁（南方科技大...
中国科学院合肥物质科学岛团队在热管内相变传热方面取得研究进展（图）
相变传热 流体仿真软件 电子元器件
2023/9/4
2023年7月28日，中国科学院合肥物质院核能安全所余大利副研究员项目组与香港城市大学Chin Pan教授合作，在热管内部相变换热三维数值研究方面取得新进展，并作为共同通讯作者在核领域知名学术期刊《核能年鉴》（Annals of Nuclear Energy）发表成果。
近日，南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）郭宇锋教授、蔡志匡教授团队在集成电路设计领域取得新进展，研发了一款基于相位误差自动校正技术的快速启动晶体振荡器芯片，该款芯片实现了大频偏注入条件下的快速启动，突破了对注入信号频率精度的严格限制，相关成果以“A 16MHz XO with 17.5μs Start-Up Time under 104ppm-∆F Injection ...
苏州纳米所在彩色基底用于半导体SERS方面取得研究进展（图）
半导体材料 单分子检测 薄膜结构
2023/7/18
表面增强拉曼散射（SERS）是一种强大的痕量分析技术，具有单分子检测的灵敏度，并提供分子指纹信息，在痕量分析、界面表征等领域具有巨大的应用价值，其中基底材料是SERS研究的核心。2023年来，半导体材料由于低成本、高选择性、结构可调、生物相容性好等特点，成为SERS基底研究的一个新兴方向。然而，相比于传统的贵金属SERS材料，半导体SERS在灵敏度上仍有数量级的差距，其中一个重要原因是半导体SER...
近日，南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室黄维院士、赵强教授团队和射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室刘蕾蕾教授团队在柔性射频天线领域取得重要进展，发展了“分子胶水”界面改性工艺和先进挤压印刷技术相结合的策略，构建了柔性超宽带Ti3C2单极子天线，实现了在弯曲状态下流畅实时的无线通信传输。相关成果以“2D Titanium carbide printed flexible ultra...
近日，南方科大学深港微电子学院院长于洪宇教授团队在GaN器件研究中取得系列重要进展，研究成果相继发表在在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters(EDL)、Applied Physics Letters(APL)及IEEE Transactions on Electron Devices(TED)期刊上。相关工作获得国家自然科学基金面上项目、广东省重点领域研发...
在计算机视觉领域，神经网络在图像识别、图像分割和目标检测方面具有先进性能。然而，基于传统冯诺依曼架构的神经网络的分类和检测方法面临存算分离的计算难题。而忆阻器作为一种新型存算一体器件，由于非易失性和纳米尺寸等特性，非常适合实现神经突触。因此基于忆阻器的神经网络引起了广泛关注。目前基于忆阻器的神经网络研究面临多态模型设计、循环神经网络（RNNs）中的核心模块门控循环单元（GRU）计算复杂等难题，合肥...
山东大学“稷下风”学术论坛-冀东：垂直结构氮化镓功率器件研究进展。
中国半导体十大研究进展候选推荐——东南大学信息科学与工程学院赵涤燹和尤肖虎教授团队高线性度、超宽带5G毫米波相控阵收发前端芯片研究（图）
东南大学信息科学与工程学院 中国半导体十大研究进展 半导体 赵涤燹 尤肖虎 高线性度 超宽带5G毫米波相控阵收发前端芯片
2022/11/20
中国半导体十大研究进展候选推荐——东南大学信息科学与工程学院赵涤燹和尤肖虎教授团队高线性度、超宽带5G毫米波相控阵收发前端芯片研究。
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授李毅达、林龙扬、周菲迟等课题组和南科大交叉研究院沈美研究助理教授和深圳江波龙电子股份有限公司合作完成，在金属氧化物半导体器件领域取得多项研究成果，包括源漏缺陷调控低温ALD ZnO 薄膜晶体管迁移率、HfO2钝化层改善ALD ZnO 薄膜晶体管稳定性以及基于氧化铪合金的高性能忆阻器（HfZrO、HfZnO RRAM）。相关成果分别发表在国际微电子期刊IEEE...
中科院上海分院宁波材料所在近红外热活化延迟荧光材料与器件方面取得研究进展（图）
宁波材料所 荧光材料 器件 生物成像
2022/12/18
近红外有机发光二极管（NIR-OLEDs）由于在生物成像、防伪、传感器、远程医疗、显微摄影、夜视显示等方面的实际应用价值，已成为有机电致发光器件的重要发展方向之一，2022年来获得了研究者的广泛关注，而热活化延迟荧光（TADF）材料可以实现100%激子利用率，其量子效率可以媲美基于贵重金属的磷光材料，具有非常大的应用潜力。受能隙定律的影响，近红外发光材料的基态（S0）和第一单态激发态（S1）势能面...
宁波材料所在氮化物宽禁带半导体极性调控及应用取得系列研究进展（图）
宽禁带半导体 氮化物薄膜 太阳电池 电子器件
2023/7/13
宽禁带半导体以GaN、SiC等材料为代表，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、高频下功率特性优良等优越性能，在半导体照明、5G通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子、国防安全等领域拥有广阔的应用前景。与GaAs、InP等其他化合物半导体不同，纤锌矿III族氮化物如GaN、AlN、AlGaN材料由于其结构具有非中心对称特点，沿c轴方向产生强烈的自发极化，对应于金属极性（III-polar）和氮极性...
南方科技大学深港微电子学院刘小龙课题组在国际高水平期刊IEEE TCAS-II发表综述文章和在毫米波集成电路设计领域取得重要研究进展（图）
南方科技大学深港微电子学院 刘小龙 IEEE TCAS-II 毫米波集成电路设计
2022/10/18
近日，南方科技大学深港微电子学院刘小龙课题组在集成电路设计领域国际高水平期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs (TCAS-II) 发表综述文章“Injection-locking techniques for CMOS millimeter-wave and terahertz signal generatio...
南方科技大学深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展（图）
南方科技大学深港微电子学院 宽禁带半导体器件 IEEE Transactions on Electron Devices Sensors and Actuators: B Chemical
2022/10/18
近日，南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展，特色研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关成果分别发表于国际微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron ...
