搜索结果: 1-2 共查到“知识库 电子科学与技术 薄膜晶体管”相关记录2条 . 查询时间(0.251 秒)
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛
2014/3/28
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49 ∶ 49 ∶ 2。所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术
有机半导体 薄膜晶体管材料 器件技术
2008/9/27
国科学院长春应用化学研究所闫东航研究员承担“有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术”项目。经过三年的努力研究，在高迁移率有机半导体材料方面，实现了通过两种或两种以上有机共轭分子的层状复合、共晶的物理途径制备高迁移率有机半导体薄膜的新方法，并发展出系列迁移率能够提高一个数量级、综合性能达到非晶硅水平的有机半导体薄膜和能够降低接触电阻的晶体管器件，被美国贝尔实验室发表的进展综述作为六个子题目之一(Redu...