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中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2023年发表论文。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家杰出青年科学基金及优秀青年基金。
近日,中国电科43所“活性金属钎焊(AMB)基板一体化封装”先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级,相关技术指标达到国际先进水平。该工艺应用于三代半导体领域,43所在此技术基础上进一步开发的多款AMB基板一体化封装产品,实现航空航天领域的国内首次应用。
中国科学院微电子研究所专利: 半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利:形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法
中国科学院微电子研究所专利:半导体结构及其制造方法
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2023上半年授权专利。
中国科学院微电子研究所专利:一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
中国科学院微电子研究所专利:一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2022年授权发明专利。
中国科学院微电子研究所专利:半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利:半导体器件制造方法
2023年6月26日,长飞光纤光缆股份有限公司(以下简称“长飞光纤”)发布公告,其子公司安徽长飞先进半导体有限公司(以下简称“长飞先进半导体”)拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。其中,长飞光纤拟出资人民币28,100.00万元。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研成果2021年发表论文。
由日本京都大学科研人员负责的产学协同软错误研究团队,开发了一种可使用不同中子源获取半导体软错误率的方法。

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