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芯生代科技发布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化镓外延产品（图）
芯生代科技 HEMT 功率器件 氮化镓
2023/11/17
2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品。行业客户、知名投资机构争相了解合作。
长飞光纤光缆股份有限公司拟投资60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目
长飞光纤 第三代 半导体 功率器件
2023/11/12
2023年6月26日，长飞光纤光缆股份有限公司（以下简称“长飞光纤”）发布公告，其子公司安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。其中，长飞光纤拟出资人民币28,100.00万元。
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前，发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开，探讨制约发光效率的关键因素和物理机制，深入研究器件结构和关键工艺技术，实现高效高可靠性大功率LED，解决半导体照明领域核心器件问题。
近日，南方科技大学工学院国家示范性微电子学院于洪宇院长团队在宽禁带半导体材料和器件领域取得重要进展，特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、实现低磁滞和高稳定性的HfO2/GaN MIS-HEMT器件、精确控制InAlN/GaN异质结构刻蚀深度和表面形貌的新型原子层刻蚀技术，以及高性能Ga2O3功率二极管制备。...
功率器件是一种具有处理高电压，大电流能力的半导体芯片，主要用于变频、变压、变流、功率管理等功率处理。特别是近年来随着5G通信、新能源、轨道交通、智能电网等技术的发展，对高性能功率器件的需求进一步增加。传统的功率器件基于硅半导体材料，其性能开发已经接近极限。目前，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体功率器件正在快速进入产业化。但基于无机半导体材料的功率器件制备技术难度大，工...
富士康成立半导体公司聚焦功率器件
富士康 半导体公司 功率器件
2021/5/13
国巨与鸿海宣布，双方将携手成立合资公司－国瀚半导体（XSemi Corporation） ，共同切入半导体相关产品的开发与销售，将更深化双方在半导体领域的布局，初期锁定平均单价低于美金2元的功率、模拟半导体产品，简称小IC，进行多样的整合与发展。目前已和多家世界级半导体公司展开讨论，近期将宣布相关半导体领域的合作案。 国巨董事长陈泰铭与鸿海董事长刘扬伟今日出席签署合资公司成立的合约协议。国瀚半导体...
东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心
东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心 功率器件
2022/8/13
2018年10月，国家专用集成电路系统工程技术研究中心与无锡新洁能股份有限公司成立“东南大学-无锡新洁能半导体功率器件联合研发中心”，在功率器件领域进行深层次合作，开发世界级水平、具有自主知识产权的、符合市场与应用需求的功率器件及模块，包括发展战略研究、新一代功率器件结构研发以及前期预研项目的开展等，加速功率器件新结构、功率器件可靠性、功率器件封装、功率模块及应用等研究成果的产业化。无锡新洁能公司...
半导体国际知名媒体专题报道电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授团队GaN-on-Si功率器件研究成果（图）
电子科技大学微电子与固体电子学院 张波教授团队 GaN-on-Si功率器件
2016/1/26
近日，电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授带领的功率集成技术实验室团队在微电子器件顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表题为“7.6 V Threshold Voltage High Performance Normally-off Al2O3/GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering”（界面电荷...
高压半导体功率器件的寿命工程评述
2007/7/28
期刊信息
篇名
高压半导体功率器件的寿命工程评述
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
贾云鹏,亢宝位
第一作者单位
北京工业大学
刊物名称
电力电子技术
页面
37(6),89-91,2003.12
出版日期
2003年
12月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
制造超快恢复、超软、超低漏电流高压功率二极管新技术研究