搜索结果: 121-135 共查到“半导体技术 半导体”相关记录1233条 . 查询时间(0.111 秒)
广东省科学院半导体研究所范建林教授(图)
范建林 广东省科学院 半导体研究所 集成电路
2023/5/16
广东省科学院半导体研究所刘珠明研究员(图)
刘珠明 广东省科学院 半导体研究所 半导体器件
2023/5/16
广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高级工程师(图)
陈志涛 广东省科学院 半导体研究所 半导体材料
2023/5/16
天津市集成电路行业协会应邀参加第五届全球半导体产业与电子技术(重庆)博览会(图)
天津市 半导体 电子技术 博览会
2023/11/28
中国科学院半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展(图)
半导体所 铁磁自旋调控 铁磁材料
2023/5/11
传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测,但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷,使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力,在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力,被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料(如典型代表Mn3Sn)集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力...
中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展(图)
半导体器件 载流子 宏观电学
2023/5/10
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域获进展(图)
微电子所 半导体器件 物理领域
2023/5/11
半导体器件存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展(图)
半导体器件 非线性输运 聚合物器件
2023/8/21
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。
“量子”学术沙龙第三期:杂化半导体中的自旋量子态调控(图)
量子 学术沙龙 杂化半导体 自旋量子态
2023/5/11
中国科学院半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展(图)
氮化物材料 半导体 二维材料
2023/7/7
202年4月24日,半导体研究所照明研发中心刘志强研究员等在氮化物材料外延研究领域取得新进展,揭示了氮化物范德华外延的物理本质,提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则;同时,提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。相关工作以“二维材料辅助的氮化物外延生长准则(Principles for 2D Material Assisted Nitrides Epitaxial Growth)”,...