搜索结果: 16-30 共查到“电子科学与技术 半导体器件”相关记录100条 . 查询时间(0.113 秒)
中国科学院微电子研究所专利：形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法
中国科学院微电子研究所专利：一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
中国科学院微电子研究所专利：一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展（图）
半导体器件 载流子 宏观电学
2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域获进展（图）
微电子所 半导体器件 物理领域
2023/5/11
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展（图）
半导体器件 非线性输运 聚合物器件
2023/8/21
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。
Academy of Mathematics and Systems Science, CAS Colloquia & Seminars：半导体器件仿真的多尺度模型和计算方法
半导体器件 仿真 多尺度模型 计算方法
2023/4/25
随着芯片设计和制造工艺的快速发展，晶体管尺寸不断微缩，量子力学效应越来越明显，传统基于漂移扩散方程的宏观数学模型难以刻画载流子输运的量子力学效应。而基于量子力学模型的器件仿真计算量大，计算时间长，难以满足工业的实际需求。基于宏观和微观多尺度耦合模型的计算方法受到越来越多关注，但相关研究成果还很不成熟，有效的计算方法和严格数学理论缺乏。我们将讨论一些多尺度耦合模型和计算中的数学问题，并报告初步的研究...
近年来，随着芯片制程逐渐逼近物理极限，面对硅材料的固有限制，芯片先进工艺尺寸微缩如何继续？芯片功能如何扩展？而得益于二维（2D）材料的原子级厚度和表面无悬挂键的结构特性、优异的光电及量子效应等，2D材料被广泛认为在后摩尔技术中扮演关键角色。那么，如何充分利用2D半导体来弥补硅基技术的不足？鉴于此，浙江大学徐明生教授、杨德仁院士和复旦大学周鹏教授团队为2D半导体融合于硅基技术提出了单片「硅上」（硅作...
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向新功能半导体器件与芯片
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 新功能半导体器件与芯片 半导体器件 芯片
2022/10/4
基于锑化物和高速硅基光互连，开展红外激光器、红外焦平面芯片和高速图像处理芯片的研究。研制全国产化锑化物超晶格红外焦平面芯片和锑化物双波段红外焦平面芯片，实现大功率、窄线宽锑化物红外激光器芯片；发展CMOS太赫兹探测器及面阵、面向图像大数据处理的人工智能处理器芯片，着眼与未来感存算一体化集成的前沿方向，开展高速硅光互连通信芯片研究。
韩国科学技术研究院开发出高可靠性人工突触半导体器件
韩国科学技术研究院 人工突触半导体器件 半导体器件 自然·通讯
2022/10/17
科技日报消息称，韩国科学技术研究院（KIST）神经形态工程中心研究团队开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件，解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然·通讯》杂志上。
南方科技大学深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展（图）
南方科技大学深港微电子学院 宽禁带半导体器件 IEEE Transactions on Electron Devices Sensors and Actuators: B Chemical
2022/10/18
近日，南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展，特色研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关成果分别发表于国际微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron ...
华为公开“半导体器件”相关专利（图）
华为 半导体器件 专利
2021/7/14
近日，据天眼查显示华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利，公开号CN113054010A，申请日期为2021年2月。专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等，其中，场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第...