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电子科学与技术 1/f噪声变温测试
”
相关记录1条 . 查询时间(0.11 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种实现半导体器件
1/f噪声变温测试
的方法及装置
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
半导体器件
1/f噪声变温测试
2023/12/13
本发明涉及一种实现半导体器件
1/f噪声变温测试
的方法及装置,该方法首先构建半导体器件
1/f噪声测试
中待测样品的
变温
环境,将
1/f噪声测试
系统的室
温测试
盒扩展至
变温
室,
变温
室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的
变温
环境;其次,设计
变温
室中的样品架及样品夹具板,实现多种封装的半导体器件在
变温
环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递,设计待测样品的偏置及
测试
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