搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术 效应”相关记录41条 . 查询时间(0.43 秒)
中国科学院物理研究所笼目六角反铁磁Mn3Ga单晶室温大反常霍尔效应（图）
铁磁 霍尔效应 电子学器件
2024/4/16
笼目（kagome）结构磁性材料具有独特的准二维晶体结构、可调控的拓扑能带结构和磁结构，从而表现出大的反常输运行为、磁斯格明子、手性反常等诸多新奇的物理特性。其中，笼目六角反铁磁Mn3X（Ga、Ge、Sn）合金具有拓扑能带结构，可以表现出大的磁电响应效应。同时，兼具反铁磁无杂散场、本征频率高等特性，是新型反铁磁自旋电子学器件理想的候选材料。近年来，Mn3Sn和Mn3Ge在实验上已经相继被证实其具有...
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 （或开关比）是衡量隧道结性能的核心指标。2005年，理论模型提出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心、国际功能材料量子设计中心赵瑾教授、郑奇靖副教授基于自主知识产权的计算软件Hefei-NAMD，研究了锐钛矿TiO2中的亮-暗激子转化的动力学过程，揭示了多体效应在其中起到的重要作用。最近，该成果以“Ultrafast many-body bright-dark exciton transition in anatase TiO2”为题，发表...
中国科学院半导体所观测到各向异性平面能斯特效应（图）
半导体所 永磁电机 自旋电子学 薄膜器件
2023/8/1
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料，在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域，利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
中国科学院超导二极管效应研究获进展（图）
超导二极管 半导体材料
2022/11/8
作为现代电子工业的基石，半导体电子器件的基元是实现半导体二极管效应的P-N结。半导体P-N结的特性之一是单向导电性。在正向偏置时，P-N结处于导通状态，允许电流通过；在反向偏置时，P-N结处于截止状态，电流无法通过。半导体电子器件利用这样的特性实现逻辑运算。与半导体材料类似，具有宏观量子现象的超导体在量子电子学占有重要地位，如超导量子干涉仪等。那么，能否在超导电流中实现二极管效应？由于超导电流的零...
芯片是信息技术产业的核心，是支撑社会经济发展和保障国家安全的关键之一。在传统CMOS微缩可能面临终结的关键时刻，以新材料、新结构和新原理为主要特征的超低功耗微电子器件技术，有望提供集成电路发展的新途径，是突破当前集成电路芯片领域存在的瓶颈的有效途径。其中，利用单个分子构建光电子元器件得到了广泛的关注。单分子器件可以将器件尺寸缩小至单分子水平，可以作为存储器、二极管、场效应晶体管及开关等，其中单分子...
纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。首先，单分子器件可以使得器件的导电沟道真正达到1nm左右水平，有望...
当前集成电路制造技术进入了“后摩尔时代”，一方面需要继续延续摩尔定律（More Moore），探索新材料、新结构或新原理的器件，解决后摩尔时代器件微缩时的尺寸、集成度和功耗的瓶颈问题；另一方面需要超越摩尔定律（More than Moore），拓展集成电路芯片功能并实现异质集成。单分子器件则为这一发展策略，提供了与传统思路不一样的可行性方案之一（Fig. 1）。其中，构建多功能单分子器件不仅能够降...
中国科学技术大学在二维铁电体光伏效应研究中取得进展（图）
中国科学技术大学 二维铁电体光伏效应
2021/10/11
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心曾华凌教授课题组和中科院量子信息重点实验室郭光灿院士团队龚明教授课题组在二维铁电体光伏效应研究中取得新的进展。该联合研究组在室温二维铁电材料CuInP2S6中观察到了显著增强的体光伏现象，并研究了该现象的维度过渡行为，确定了其临界厚度，这些结果为理解空间反演对称破缺体系中电极化主导的光电转换机制提供了重要的实验证据。相关研究成果于10月8日以“E...
2021年6月17日，国家重点研发计划重点专项“基于电卡制冷效应的时空精准芯片主动控温系统设计与研究”项目启动暨实施方案论证会在上海召开，本次会议以线上、线下结合的方式举行。科技部高技术发展中心领导车子璠博士、贾庆岩博士，项目责任专家、南昌航空大学校长罗胜联，项目责任专家孙立贤教授出席指导工作，沈保根院士、成会明院士、宣益民院士、陈永胜教授、靳长青研究员、李敬锋教授、罗二仓研究员、徐卓教授、朱颖心...
中国科学院国家纳米科学中心在自旋场效应晶体管方面取得新进展（图）
中国科学院国家纳米科学中心 自旋场效应 晶体管 无线电
2021/4/25
晶体管的发明对无线电科学技术产生了重大影响，使电子计算机掀起了一场变革，人类由此进入了信息时代。经过指数式迅猛发展，传统硅基CMOS技术已进入亚10纳米节点，接近其尺度和性能极限。未来信息科技、产业的核心电子器件研发是一个受到广泛关注的重要问题。传统硅基技术主要利用了电子的电荷特性，通过控制电荷的定向移动（电流）的“通”与“断”得到“1”、“0”两种状态。能否利用电子的自旋属性，使其定向移动（自旋...
