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自旋电子学是一门交叉学科，其核心内容是通过调控固态系统中电子的自旋自由度，将标准的微电子技术与自旋相关效应有机结合在一起，为研制新一代高性能电子器件提供机会。值得一提的是，与当今已广泛应用的金属-氧化物-半导体电子器件相比，电压（或电场）调控的自旋电子器件具有能耗低、处理速度快、集成度高及功能多等优势，近年来在信息技术领域引起了人们的普遍关注。然而，由于在一般材料中磁化强度和电场之间缺乏足够强的直...
近日，在西安交通大学电信学院微电子学院贺永宁教授和青年教师彭文博的指导下，博士生潘子健和李芳沛等研究成员以异型和同型异质结光电二极管为研究对象，通过对比压电光电子学效应在两种异质结光电二极管器件中的性能调制作用，系统地研究了不同器件结构对压电光电子学效应的影响。研究结果表明，压电光电子学效应能使p-n异型异质结光电二极管器件的性能增强约150%，而仅能使n-n同型异质结光电二极管器件的性能增强约5...
皖西学院机械与车辆工程学院模拟电子线路课件第3章 场效应管
皖西学院机械与车辆工程学院 模拟电子线路 课件 第3章 场效应管
2018/5/17
皖西学院机械与车辆工程学院模拟电子线路课件第3章 场效应管。
压电光电子学效应是利用压电半导体材料在受到外加应变时所产生的压电电势/压电电荷调控器件界面/结处的能带结构和光生载流子行为，进而对器件性能进行调制的一种新型效应。近年来，有关压电光电子学效应调制光电器件性能的研究工作只利用了某一极性（正性或负性）的压电电荷，而忽视了另一极性的压电电荷。关于两种压电电荷耦合效应的分析与讨论一直未见报道。近日，西安交通大学微电子学院贺永宁教授课题组青年教师彭文博博士带...
中国科学院物理研究所发现基于磁性绝缘体的磁子阀效应（图）
中国科学院物理研究所 磁性绝缘体 磁子阀效应
2018/3/9
面向后摩尔时代的信息存储与逻辑运算需求，自旋电子器件在开发下一代具有更小单元尺寸、非易失性、低功耗和高速度的微电子器件中提供了具有广阔前景的发展方向。其中，自旋阀是各类自旋电子器件的核心单元，自旋阀通常包括两层铁磁金属和非磁中间层构成的三明治核心结构，由于自旋极化电子在两铁磁层间的输运，从而使器件的电阻受到两铁磁层相对取向的调制。基于自旋阀结构的室温巨磁电阻(GMR, 1988年)和室温隧穿磁电阻...
日前，上海科技大学物质学院颜世超教授与德国Max Planck结构与动力学研究所的Sebastian Loth教授合作，在原子尺度自旋链中发现了基于自旋的负微分电阻效应。11月21日，相关成果以“Dynamical Negative Differential Resistance in Antiferromagnetically Coupled Few-Atom Spin Chains”为题，在知...
中国科学院近代物理研究所碳离子束辐射对拟南芥基因组诱变效应研究获进展（图）
中国科学院近代物理研究所 碳 离子束辐射 南芥基因组 诱变效应
2017/11/29
中国科学院近代物理研究所研究人员依托兰州重离子研究装置（HIRFL）浅层治疗及生物辐照终端提供的碳离子束，结合高通量测序技术对模式植物拟南芥基因组的诱变规律进行研究，获得新发现。研究人员采用200Gy的碳离子束，传能线密度（LET）为50keV/μm，辐照诱变拟南芥干种子，构建突变种子资源库。通过高通量测序技术，对11个M3代突变材料进行全基因组重测序分析，共检测到320个碱基置换（substit...
深圳大学信息工程学院模拟电路(1)课件第四章 场效应管放大电路。
表面有机结构因其在有机电子学的潜在应用前景受到广泛的关注和讨论。在目前普遍用于构筑表面有机结构的相互作用力（包括较弱的氢键、范德华力、π-π相互作用、偶极相互作用，较强的金属-有机配位键、共价键等）中，金属-有机配位结构有助于理解磁学、气相分离以及催化等领域的一些基本现象，因此深入探究金属原子-有机配体相互作用的内在机理是很有必要的。
界面效应用于TMD超导体系研究获进展（图）
界面效 TMD超导体系 单层TaS2纳米片
2017/7/10
近日，中国科学院上海硅酸盐研究所、上海微系统与信息技术研究所、北京大学等共同合作研究，通过化学剥离成单层TaS2纳米片，以及纳米片抽滤自组装而重新堆叠成TaS2薄膜。重新组装的TaS2薄膜打破了原母体的晶体结构，形成了丰富的均质界面，并获得了比母体材料更高的超导转变温度和更大的上临界场。相关研究成果以Enhanced superconductivity in restacked TaS2 nano...
岩巷掘进爆破中电爆网络电感效应的分析
电爆网络 电磁感应 感应电流 准爆电流
2017/7/12
在电爆网路设计核算准爆电流时，通常只考虑电爆网路的线路电阻和各雷管电阻的影响，没有考虑由于雷管角线或网路的弯曲已形成闭合线圈而产生的电感的影响，使得电爆网路中实际电流低于电爆网路的准爆电流而出现一些雷管拒爆的现象。在分析电磁感应现象产生的感应电流对电爆网络影响的基础上，推出了电爆网络计算电流的公式，从而准确计算电爆网络的爆破能力。
西安思源学院电子信息工程学院模拟电子技术与应用课件 4场效应管（FET）放大电路（1）。
西安思源学院电子信息工程学院模拟电子技术与应用课件 4场效应管（FET）放大电路（2） 。
西安思源学院电子信息工程学院模拟电子技术与应用课件 场效应管放大电路。