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中国科学院微电子研究所专利：一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利：一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳基 场效应晶体管
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
中国科学院物理研究所专利：具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种基于固态离子导体的场效应器件
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
中国科学院超导二极管效应研究获进展（图）
超导二极管 半导体材料
2022/11/8
作为现代电子工业的基石，半导体电子器件的基元是实现半导体二极管效应的P-N结。半导体P-N结的特性之一是单向导电性。在正向偏置时，P-N结处于导通状态，允许电流通过；在反向偏置时，P-N结处于截止状态，电流无法通过。半导体电子器件利用这样的特性实现逻辑运算。与半导体材料类似，具有宏观量子现象的超导体在量子电子学占有重要地位，如超导量子干涉仪等。那么，能否在超导电流中实现二极管效应？由于超导电流的零...
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
芯片是信息技术产业的核心，是支撑社会经济发展和保障国家安全的关键之一。在传统CMOS微缩可能面临终结的关键时刻，以新材料、新结构和新原理为主要特征的超低功耗微电子器件技术，有望提供集成电路发展的新途径，是突破当前集成电路芯片领域存在的瓶颈的有效途径。其中，利用单个分子构建光电子元器件得到了广泛的关注。单分子器件可以将器件尺寸缩小至单分子水平，可以作为存储器、二极管、场效应晶体管及开关等，其中单分子...
纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。首先，单分子器件可以使得器件的导电沟道真正达到1nm左右水平，有望...
