搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1125条 . 查询时间(2.231 秒)
中国科学院有机半导体材料室温自旋输运和微观弛豫研究获进展(图)
有机半导体材料 耦合 纳米
2024/10/11
有机半导体材料由轻质元素组成。该材料表现出较弱的自旋轨道耦合作用,能够保持较长的自旋寿命,并在室温下展现出自旋传输潜力。此前,科学家针对有机半导体在自旋阀中作为非磁性中间层的应用开展了研究,但自旋传输效率依然较低。目前,有机半导体的自旋弛豫通常被认为是氢原子的超精细耦合所致,而在结构复杂的有机光电材料中仅考虑氢原子的作用是不全面的。因此,分子结构和自旋弛豫对自旋传输的作用尤其在室温下的影响较难明确...
左蓝微电子,高性能5G射频滤波器项目启动暨落户常州天宁区(图)
左蓝微电子 射频滤波器 常州 天宁区
2024/10/14
上海有机所在多孔高分子光催化材料研究中取得进展(图)
高分子 光催化材料 半导体
2024/9/14
过氧化氢(H2O2)是一种重要的化工原料,在工业、医疗、化学合成等领域被广泛应用。与目前已有的多种H2O2生产方法,如过硫酸盐电解、醇氧化和电化学合成相比,光催化利用具有合适带隙和活性位点的半导体,在可见光驱动下发生氧化还原反应,是较有应用前景的绿色H2O2生产方法之一,这一方法的关键是开发高性能的催化材料。共价有机框架 (COFs) 是一类内部结构高度有序、骨架可预设计、性质可调的多孔聚合物半导...
我国半导体制造核心技术实现突破(图)
半导体制造 氢离子注入 功率半导体
2024/9/12
上海微系统所“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”(图)
柔性 太阳电池 集成电路
2024/8/28
2024年8月15-18日,第十九届中国可再生能源学会在陕西西安召开,光伏专委会发布了2024年太阳电池中国最高效率、2023年光伏领域重大科技进展,集成电路材料全国重点实验室纳米材料与器件实验室新能源技术中心课题组的“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”。
中国科学院沈阳分院金属所发明热发射极晶体管(图)
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小,其进一步发展的挑战日益增多。因此,探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输,而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能,展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而,过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒的...
中国科学院金属所等发明热发射极晶体管(图)
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小,其进一步发展的挑战日益增多。因此,探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输,而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能,展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而,过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒的...
国家自然科学基金委员会中国学者在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展(图)
有机半导体 集成电路
2024/8/25
在国家自然科学基金项目(批准号:52225304、52121002、52073210、52073210)等资助下,天津大学理学院胡文平/李立强团队在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展,相关研究成果以“利用维生素C提高n型有机半导体的性能和稳定性(Improving both performance and stability of n-type organic semiconductors by...
中国科学院苏州纳米所张兴旺团队:将光学超表面的厚度推向极限(图)
张兴旺 光学器件 二维半导体 激子
2024/8/13
紧凑、轻薄的光学系统对光学器件的厚度提出了更高的要求。2024年来,介质光学超表面由于可以在亚波长尺度下对光场进行操控,因此在轻薄光学器件中具有广泛的应用前景。然而受限于相位调控对厚度的要求,当前介质光学超表面的厚度通常限制在百纳米量级。为了打破相位调控对厚度的限制,2024年8月2日中国科学院苏州纳米所张兴旺团队的周嘉欣等人借助二维半导体激子效应产生的高折射率和导模谐振增强相位调控的原理,成功地...
中国科学院苏州纳米所张兴旺团队AM:二维半导体自旋-轨道锁定涡旋光源(图)
张兴旺 二维半导体 集成 光子器件
2024/8/13
在集成光子器件领域,二维半导体材料由于具有独特的激子发光特性、优异的机械性能、高导热率和载流子迁移率等,在可集成光源器件上展现出独特的优势。尤为重要的是单层二维半导体具有原子级的平整度且没有悬挂键,因此易于与其他材料以范德华力实现异质集成,有效地避免了晶格失配问题,为高集成度、高性能的光源器件设计提供了新平台。然而,当二维半导体材料的厚度降至原子级时,材料与光场的相互作用很弱,发光效率受限。另外精...
中国科学院微电子所在新型氧化物薄膜晶体管研究方面取得进展(图)
薄膜 晶体 半导体材料
2024/8/11
氧化物随即存储器因其较长的保持时间和有利于三维堆叠的优点,成为国际学术和产业界的关注点,其中In2O3-基薄膜晶体管由于其高迁移率而备受关注。In2O3中氧的不稳定性直接影响到器件的可靠性,为克服这一问题,传统的Ga或Zn掺杂需要较高的掺杂浓度,在提升器件可靠性的同时减低了迁移率。因此,需要提出更新的氧化物半导体材料体系,突破In2O3-基薄膜晶体管的迁移率和可靠性制约问题。
异质结构作为先进半导体器件的基本构建模块,因其独特的结构、界面和电子特性而备受关注。有机分子/二维材料异质结因其原子级洁净界面结构和特殊电子态特性,在二维半导体材料与器件中具有广泛的应用前景。2024年7月26日有机分子薄膜被发现可调控并大幅提高二维半导体材料性能(Nat. Mater. 2023,22, 1078)。分子调控二维半导体材料和器件的微观机制还有待进一步研究。...