搜索结果: 1-10 共查到“半导体技术 激子”相关记录10条 . 查询时间(0.183 秒)
中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心、国际功能材料量子设计中心赵瑾教授、郑奇靖副教授基于自主知识产权的计算软件Hefei-NAMD，研究了锐钛矿TiO2中的亮-暗激子转化的动力学过程，揭示了多体效应在其中起到的重要作用。最近，该成果以“Ultrafast many-body bright-dark exciton transition in anatase TiO2”为题，发表...
中国科学院半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展（图）
激子 量子器件 动力学模型
2024/2/28
2023年9月22日，新加坡南洋理工大学高炜博教授与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员合作，利用施主-受主对（DAP）模型解释了二维MoSe2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子（IX）发射现象，并建立了DAP IX的动力学模型，很好地解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日，相关研究成果以“MoSe2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主...
凭借轻巧、灵活和自发光等优点，有机发光二极管（OLED）被广泛认为是主流的第三代显示技术。而有机电致发光材料是OLED的关键组分之一。能够通过高能级通道迅速发生逆系统间跃迁（RISC）过程的“热激子”材料在OLED界备受关注。有研究显示，通过热激子路径可以获得理论上的100%内部量子效率（IQE）和低滚降速率。然而，红色热激子材料在聚集态和团簇态下仍不可避免地遭受聚集引起的淬灭（ACQ），导致相对...
中国科学院半导体所在激子-声子的量子干涉研究中获进展（图）
半导体 激子-声子 量子
2023/3/15
2023年3月1日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室报道了二维半导体WS2中暗激子与布里渊区边界声学声子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（图1a、b），并揭示了对称性在其中的重要作用。相关研究成果以《少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉》（Quantum interference between dark-excitons and zone-edged acous...
南京工业大学柔性电子（未来技术）学院黄维院士、林进义教授团队在《Light: Science & Applications》报道超分子掺杂助力调控有机半导体能带结构和激子行为（图）
黄维 林进义 Light: Science & Applications 超分子 有机半导体 能带结构 激子行为
2024/4/16
近日，柔性电子（未来技术）学院黄维院士、林进义教授团队在超分子掺杂策略调控有机半导体性能研究取得重要进展，相关成果（“Photoexcitation dynamics and energy engineering in supramolecular doping of organic conjugated molecules”）发表在光学工程领域权威期刊Light: Science & Appli...
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室在二维半导体WS2中研究了布里渊边界声学声子与暗激子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（示意见图1a，b），并揭示了对称性在其中扮演的重要作用。2023年1月06日，相关研究成果以“少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉”（Quantum interference between dark-excitons and zone-ed...
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员团队在半导体的激子-声子耦合的研究方面取得了一系列进展，相关工作分别以“锰掺杂氧化锌纳米线的多声子过程”（Multiphonon Process in Mn-Doped ZnO Nanowires），“卤化物双钙钛矿中自陷激子介导的高阶拉曼散射”（High-order Raman scattering mediated by self-tr...
科技日报讯 （记者郝晓明）受到光照，半导体会产生载流子——电子和空穴，两者因带有相反的电荷在静电吸引力作用下被“捆绑”在一起，形成激子。与自由的电子和空穴相比，激子具有更高的发光效率，因而在发光和显示器件领域具有潜在应用价值。但在太阳能电池等光伏应用中，大量存在的激子不利于正负电荷的分离提取，使太阳能电池效率大幅降低。因此，研究半导体中激子与自由载流子之间相互转化的动态过程，对材料和器件的合理应用...
晏湖根课题组揭示单层黑磷中的双曲型激子极化激元（图）
单层黑磷 双曲型激子 极化激元 二维半导体材料
2022/5/16
近日，复旦大学物理学系/应用表面物理国家重点实验室晏湖根教授课题组研究了单层黑磷面内双曲激子极化激元模式。相关成果在《自然-通讯》（Nature Communications）杂志上发表，论文题目为《单层黑磷中面内双曲激子极化激元的预测》（“Prediction of hyperbolic exciton-polaritons in monolayer black phosphorus”）。物理系...
中国科学院半导体研究所等在拓扑激子绝缘体相研究中获进展（图）
中国科学院半导体研究所 拓扑 激子绝缘体相
2018/1/19
上世纪60年代，诺贝尔奖获得者Mott提出激子绝缘相，Mott提出考虑库仑屏蔽效应，在半金属体系中电子-空穴配对而形成激子，可能会导致体系失稳，从而在半金属费米面处打开能隙，形成激子绝缘体状态。但迄今为止，实验上观测激子绝缘体相是一个尚未完全解决的关键科学问题。激子绝缘体相存在及其玻色-爱因斯坦凝聚的确凿证据并不充分，主要是由于激子的寿命较短，带来观测上的困难。InAs/GaSb半导体量子阱系统是...