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芯生代科技发布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化镓外延产品（图）
芯生代科技 HEMT 功率器件 氮化镓
2023/11/17
2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品。行业客户、知名投资机构争相了解合作。
AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究
泄漏电流 阈值电压 接触电阻
2009/5/27
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃，退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值...
低噪声混频管及集成(国内领先)：开展了GaAs(InGaAs)HEMT器件及其混合集成的研究。器件方面着重亚微米栅长的微细加工技术、金属剥离及其辅助技术-图像反转光刻技术的研究等。混频电路的设计采用一小信号分析方法，即变换矩阵法分析了混频器的变频特性，利用器件的S参数及电路优化设计程序设计了匹配电路。测试结果表明：在测试频率18GHz附近(中频1.5GHz)，混频增益-0.5dB-+0.5dB，单...