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中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
本发明用纯金属钽(Ta)做阳极,石墨(C)做阴极在氩气和酒精中,用电弧放电法制备碳包裹碳化钽(TaC)的纳米胶囊.将纳米胶囊压成0.1mm厚、1mm宽、约5mm长的长条块.将长条块固定在同样大小的绝缘板上.用银胶将输入电流电极,和输出电压电极固定在上面,旁边附热电偶,即成为一个微型低温超低频信号元件。如图29所示：元件的宽度为1mm；1和2为直流电流输入端；3是TaC的纳米胶囊压成0.1mm厚、1...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种球销元件的自动分检装置及其方法
本发明涉及一种层状结构半导体材料光催化剂及其产氢应用。其特征在于：该半导体材料是由一种IIA族金属元素，一种IB族金属元素，一种VIB族或VIIB族或VIII族或IIB族或IIIA族金属元素，另外加一种或两种VIA族非金属元素共同组成。以该半导体材料为光催化剂，不担载或将少量过渡金属、贵金属原位光沉积担载于催化剂表面作为助催化剂进行可见光下的产氢反应。该半导体材料可与已知n型半导体复合构筑p-n异...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种放电激励的准分子激光系统电磁辐射在线监测方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种S波段连续波高功率微波系统室内地网改造方法
本发明提供了一种光合系统II和半导体杂化体系光催化分解水制氢气的方法，结合自然界光合系统II高效光催化分解水产氧气以及担载金属助催化剂的半导体材料光催化分解水产氢气的性质，实现了利用可见光全分解水产氢气和氧气。本发明的杂化体系中光合系统II与半导体材料之间的电子传递由铁络合物、钴络合物、2,6-二氯酚靛酚或者醌类化合物的还原和氧化循环过程来实现，在可见光条件下，1μmol光合系统II-半导体杂化体...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：覆铜板的蚀刻设备及覆铜板的蚀刻系统
中国科学院金属研究所专利：纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法
中国科学院金属研究所 专利 纳米晶粒 二氧化锡 电子束
2023/9/7
本发明涉及一种纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法,可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备,属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯锡为原材料,通过电子束辐照氧化的物理机制,制备出纳米晶粒的二氧化锡材料或含有二氧化锡的复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构,其中二氧化锡的晶粒尺寸分布可达3～15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用,不同于以往的化学合成方法,制备过程简单,可...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种半导体芯片封装结构
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种集成化电力电子功率变换控制系统的系统级封装方法