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2016年9月1日下午,应器件部孙钱研究员邀请,浙江大学“青年千人”杨树教授来中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所访问交流,并做了题为“Trapping Mechanisms in GaN-on-Si Power Devices: Understanding and Characterizations”的学术报告。