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李中军，男， 博士，副教授，硕士生导师，2008年从中国科学技术大学近代物理系获理学博士学位，同年到合肥工业大学工作，2012年至2015年期间在中国科学技术大学-合肥微尺度物质科学国家实验室从事博士后研究。主要研究方向：低维半导体体系电子结构调控与电子器件模拟、半导体异质薄膜及其光电器件、拓扑绝缘体薄膜及其红外/太赫兹器件。
2016年9月1日下午,应器件部孙钱研究员邀请,浙江大学“青年千人”杨树教授来中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所访问交流,并做了题为“Trapping Mechanisms in GaN-on-Si Power Devices: Understanding and Characterizations”的学术报告。
2016年3月17日，美国德克萨斯农工大学教授Yue Kuo来中国科学院微电子研究所访问交流。交流活动由中国科学院微电子研究所微电子重点实验室主任刘明院士主持。科研人员、研究生共40余人参加了交流活动。
半导体国际知名媒体专题报道电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授团队GaN-on-Si功率器件研究成果（图）
电子科技大学微电子与固体电子学院 张波教授团队 GaN-on-Si功率器件
2016/1/26
近日，电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授带领的功率集成技术实验室团队在微电子器件顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表题为“7.6 V Threshold Voltage High Performance Normally-off Al2O3/GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering”（界面电荷...
黄均鼐、汤庭鳌教授和胡光喜副教授编撰的《半导体器件原理》荣获中国电子教育学会全国电子信息类优秀教材（研究生、本科生教育优秀教材）一等奖。本书是在20年前黄均鼐教授和汤庭鳌教授合著的《双极型与MOS半导体器件原理》基础上一次改版，由复旦大学出版社出版。本书得到上海市科委通过上海自然科学基金项目的支持。