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中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
有机发光晶体管（OLETs）是一种兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，独特的电压驱动模式使其具有与现有制备工艺兼容、集成更容易等优势，被认为是实现下一代新型显示技术的重要器件基元。此外，OLET特有的栅压调控功能为实现高效的电子空穴传输及复合提供了新途径，使其在数据通信、照明、智能全彩显示技术以及高密度柔性可视化传感器等方面显示出应用潜力。
中国科学院化学研究所刘云圻课题组在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得新进展（图）
刘云圻 集成 聚合物半导体 分子
2024/3/17
随着材料科学和器件技术的快速发展，可拉伸元件和柔性显示器因其在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而引起了广泛的关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料在其中起着至关重要的作用，逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是，具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发，对先进和新兴制造技术至关重要。然而，通过多级制造实现多功能应用...
本发明的目的在于提供一种细胞受力行为研究微流控芯片系统，特别是一种针对间充质干细胞受力行为研究微流控芯片系统，其特征在于：该微流控芯片系统将干细胞的接种、长期培养、干细胞受力学刺激及分析检测过程集成在一块功能芯片上完成；该系统由两个基本单元构成：第一个基本单元为细胞受力行为研究微流控芯片，第二个基本单元为细胞受力行为研究微流控芯片外围设备。
本发明提供了一种基于微流控芯片的核酸阵列分析平台及分析方法，该平台由两部分组成，上部分为反应-电泳芯片，下部分为温控芯片，两部分通过导热胶粘接在一起；所述的微流控芯片平台的核酸阵列分析方法为预先在分离检测通道中填充分离胶，反应液添加入反应池中，其它各池添加分离缓冲液或分离胶，所有池加入矿物油覆盖以防止溶液挥发；反应结束后，直接进行产物的芯片阵列电泳检测；本发明可以同时对多个样品进行平行分析；可进行...
一种高通量微液滴固定方法，基于浮力和表面张力原理，在微流控芯片上进行操控，所述微液滴固定方法具体是：将连续相和分散相利用注射泵分别注入芯片，既而在T型微液滴生成区形成连续的单分散性微液滴；在注射泵驱动下微液滴继续流动并进入液滴捕获器阵列，液滴在流经捕获器下方通道时由于浮力和表面张力的共同作用向上进入圆柱体捕获器；后续液滴从已经成功固定液滴的液滴捕获器的下方通道流过，继而被顺序地捕获于后续的液滴捕获...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种微流控芯片及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 微流控芯片
2024/1/25
一种微流控芯片及其应用，该微流控芯片由6个细胞共培养单元和与之相连的1条培养液通道组成；每个共培养单元包括两个细胞培养池A和B，培养池A位于培养池B和培养液通道之间，并且其高度低于培养池B和培养液通道；该微流控芯片用于研究细胞在三维介质中相互作用的方法，为异种细胞生长及相互作用提供三维空间支持；本发明具有操作简单、快速和样品用量少等特点。
本发明提供了一种三维纸质微流控芯片及其制作方法，该三维纸质微流控芯片由二维纸质微流控芯片叠合装订而成；其制作方法是用绘图软件设计所需要的芯片图案，然后用打印机将蜡打印到纸材料表面，将打印好的纸材料放入高温容器中烘烤，然后取出冷却，得到二维纸质微流控芯片，然后将二维纸质微流控芯片按照设计好的方式叠合，再用装订设备将叠合好的二维纸质微流控芯片装订在一起，即得到三维纸质微流控芯片。本发明制作方法操作简单...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法，主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异，无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场，其中，电源模块和测试模块位于辐射场外，辐照模块位于辐射场内，可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测，进而获取过程数据；同时，辐照模块可放置N个待测芯片，且各待测芯片相互独立，由此可对待测芯...