搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 突破性”相关记录19条 . 查询时间(0.193 秒)
光明日报我国科学家在小型化自由电子激光研究中取得突破性进展
小型化；自由；电子激光
2021/10/22
记者颜维琦从中国科学院上海光学精密机械研究所获悉，该所强场激光物理国家重点实验室利用自行研制的具有国际领先综合性能的超强超短激光装置，在基于激光加速器的小型化自由电子激光研究方面取得突破性进展。22日，相关研究成果作为封面文章发表于《自然》（Nature）杂志。
郑州大学物理学院在半导体光电器件领域取得突破性进展
郑州大学物理学院 半导体 光电器件
2021/4/26
日前，郑州大学物理学院在石墨相氮化碳（g-CN）薄膜的可控制备和光电器件领域取得突破性进展，相关成果以题为“Wafer-scale growth of two-dimensional graphitic carbon nitride films”的论文发表在Cell旗舰期刊《Matter》上。物理学院硕士研究生刘志豫、深圳大学物理与光电工程学院副研究员王春枫和物理学院朱志立副教授为共同第一作者，物...
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展（图）
金属氧化物 半导体 基等离激元学
2020/12/18
最近，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心罗毅教授、张群教授、江俊教授研究团队在基于金属氧化物半导体材料的等离激元学研究方面取得突破性进展，采用新发展的电子-质子协同掺氢策略，实现了类金属的超高自由载流子浓度，从而获得强且可调的等离激元效应。研究成果以“Hydrogen-Doping-Induced Metal-Like Ultrahigh Free-Carrier Concentrat...
我国科学家在微波精密测量领域取得突破性进展
科学家 微波 精密测量
2020/12/8
微波是人类观察世界的另一只“眼睛”，利用微波遥感技术可以测绘人类难以涉足地区的地形地貌、探索广袤神秘的宇宙太空。随着人类对未知世界探索的不断深入，经典微波测量方法在探测灵敏度和测量精确度方面都已经无法满足现实需求。
近日微电子所在新型存储器及硬件安全芯片研究领域取得重要进展。刘明院士科研团队两篇研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI）。在硬件安全芯片领域，刘明院士/吕杭炳研究员团队展示了一种利用电荷俘获鳍式晶体管（Charge Trapping FinFET，CT-FinFET）器件短期阈值电压恢复特征的真随机数发生器（TRNG）芯片（图1）。研究人员创新...
近日，2019国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了新型存储器件（选通管、可编程二极管）、负电容晶体管紧缩模型、类脑神经元器件电路的最新研究成果。
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直是工业界和科研界研究的热点。刘明院士团队在RRAM方向的研究具有丰富的经验，针对28纳米的1Mb RRAM测试芯片（IEDM 2017 ...
中国科学院微电子研究所高频高压中心在氮化镓高压电力电子器件领域取得突破性进展，提出了一种低损伤、高性能的新型氮化镓横向肖特基二极管结构，有望提升各类电源和无线充电系统的效率和功率密度，显著降低系统成本，具有广阔的市场前景。
中国科学院微电子研究所在高可靠技术领域取得突破性进展
中国科学院微电子研究所 高可靠技术
2017/10/20
近年来，重点实验室与微电子所先导中心、中科院新疆理化所等所内外科研单位合作，在FinFET器件、DSOI器件和VDMOS器件抗辐照性能上进行了深入研究。研究表明，在导通偏置下的辐照过程中，体硅FinFET展现出高抗总剂量辐射能力，辐照诱发阈值电压增大、跨导增加并改善了其亚阈值特性，引起“反向”的辐照后室温退火效应。相同工艺下的新型DSOI器件结构将SOI抗总剂量效应能力提高了1到2个数量级，而对电...
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队在阻变存储器（RRAM）高密度集成方面取得突破性进展，提出了一种与CMOS工艺完全兼容，具有高均一性的高性能选通器件，为两端结构电阻型存储器的高密度三维集成提供了解决方案。基于本研究成果的论文“Fully BEOL Compatible TaOx-based Selector with High Uniformity and R...
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在高迁移率锗锡沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展。该团队在2014年6月8日到12日美国夏威夷举行的IEEE VLSI Symposia Technology and Circuits（简称VLSI年会）上报告了题为《Undoped Ge0.92Sn0.08 Quantum Well PMOSFETs on (001), (...
近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）超高速电路课题组在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性进展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片。
上海微系统所硅基光子学研究获突破性进展（图）
硅基光子学 研究
2011/11/10
日前上海微系统所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组在光子学研究方面取得突破性进展，研究结果发表在2011年5月20日出版的Physical Review Letters 上（作者为：杜骏杰、王曦、邹世昌、甘甫烷等），并作为每期Physical Review Letters最亮点的工作之一，被选为Editors’ Suggestion。该工作已经引起国际同行的广泛关注，美国物理学会在physic...
上海微系统与信息技术研究所硅基光子学研究获突破性进展（图）
硅基光子学 离子体激元 高折射率粒子排列 单个粒子
2012/5/10
日前上海微系统所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组在光子学研究方面取得突破性进展，研究结果发表在2011年5月20日出版的Physical Review Letters 上（作者为：杜骏杰、王曦、邹世昌、甘甫烷等），并作为每期Physical Review Letters最亮点的工作之一，被选为Editors’ Suggestion。该工作已经引起国际同行的广泛关注，美国物理学会在physic...
中科院上海光机所空间激光通信及检验技术重点实验室在重大项目的支持下，自2008年开始合成孔径激光成像雷达技术的研究，目前已经取得阶段性突破进展。已实现实验室尺度缩小合成孔径激光成像雷达装置的二维目标的同时距离向和方位向的成像，实现了合成孔径激光雷达的光学、光电子学和计算机处理的全过程贯通。这是世界上第三个成功的实验报道。