搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 碳纳米管”相关记录26条 . 查询时间(0.181 秒)
中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
中国科学院金属研究所专利：窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
中国科学院金属研究所专利：窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
2020年8月15日，2020中国电子学会科学技术奖励大会在北京举行。大会上，中国电子学会副理事长、国家自然科学基金委员会党组成员、副主任、中国科学院院士陆建华发布了“2020电子信息领域优秀科技论文”，由电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室在读博士研究生谢雨农担任第一作者、彭练矛和张志勇教授担任通讯作者的论文《采用三维架构加速碳纳米管集成电路》（Speeding up carbon nan...
北京大学电子学系碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇-彭练矛课题组与中国科学院苏州纳米与仿生技术研究所赵建文课题组合作，系统地对碳纳米管晶体管进行抗辐照加强设计，制备了对辐照损伤几近免疫的碳纳米管晶体管和集成电路。联合课题组针对场效应晶体管的所有易受辐照损伤的部位采用辐照加强设计，优化晶体管的结构和材料，包括选用半导体碳纳米管作为有源区、离子液体凝胶（Ion gel）作为栅...
北京大学信息科学技术学院电子学系张志勇-彭练矛课题组在用于高性能电子学的高密度半导体阵列碳纳米管研究中取得重要进展（图）
北京大学信息科学技术学院 电子学 张志勇 彭练矛 高性能 电子学 高密度 半导体 阵列碳 纳米管
2020/5/25
集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能，降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点，采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加重要。在诸多新型半导体材料中，半导体碳纳米管具有超高的电子和空穴迁移率、原子尺度的厚度和稳定的结构，是构建高性能CMOS器件的理想沟道材料。已公开的理论计算和实验结果均...
2019年10月2日，清华大学化学工程系魏飞教授团队在《自然·通讯》（Nature Communications）上在线发表题为“超纯半导体性碳纳米管的速率选择生长”（Rate selected growth of the ultrapure semiconducting carbon nanotube arrays）的论文。论文研究指出，碳纳米管在生长过程中的原子组装速率与其带隙相互锁定，金属管...
北京大学信息科学技术学院电子学系张志勇、彭练矛教授联合课题组在碳纳米管薄膜晶体管数字电路应用的探索中取得重要进展（图）
北京大学信息科学技术学院 张志勇 彭练矛 教授 碳纳米管 薄膜晶体管 数字电路应用
2019/5/21
半导体碳纳米管被认为是构建纳米晶体管的理想沟道材料，有望推动未来电子学的发展。在过去的二十多年间，基于碳管的器件和电路得到广泛研究，并在器件物理、性能研究探索、电路制备等领域取得了巨大进展。碳基电子学的进一步发展，特别是碳基集成电路的实用化推进，很大程度上依赖于大面积制备、高半导体纯度的高质量碳纳米管材料。构建碳基集成电路的理想材料是平行排列的高密度半导体碳纳米管阵列，但目前的制备技术仍难以实现。...
2018年1月2日，在海淀区政府第43次常务会议召开前，北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室、碳基纳米电子学研究中心彭练矛教授受邀以碳纳米管集成电路技术的现状和前景为主题授课。区委副书记、区长戴彬彬主持会议。当前，备受关注的云技术、大数据、人工智能、个性化医疗和健康监控等都离不开芯片的支撑。彭练矛围绕硅基集成电路的发展背景、半导体技术的发展路线、碳纳米管的材料基础与技术挑战...
集成电路芯片遵从摩尔定律，通过缩减晶体管尺寸，不断提升性能和集成度，成本得以降低；然而，进一步发展却受到来自物理极限、功耗和制造成本的限制，需要采用新兴信息器件技术支撑未来电子学的发展。碳纳米管被认为是构建亚10nm晶体管的理想材料；理论和实验研究均表明相较硅基器件而言，其具有5～10倍的本征速度和功耗优势，性能接近由量子测不准原理所决定的电子开关的极限，有望满足后摩尔时代集成电路的发展需求。但是...
北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛教授课题组系统地发明了一种可完美兼容等离激元结构的无掺杂技术。具体说来，首先采用钯（Pd）金属和钪（Sc）金属分别实现与碳纳米管的p型和n型接触，进而构建碳纳米管二极管和场效应晶体管；与此同时，采用金（Au）来构建等离激元波导。一方面，采用对称电极的高性能碳管晶体管可与Au波导集成形成在片电驱动的表面等离激元（surface pla...
集成电路是新一代信息技术产业的重要组成部分。过去数十年间，按照摩尔定律的预测，随着晶体管尺寸不断缩减，芯片的功能越来越强大、集成度越来越高。然而随着10nm技术节点的接近，因受到物理定律、成本等制约而很难进一步提升。2015年，国际半导体技术发展路线图（ITRS）委员会正式宣布摩尔定律将走到尽头，信息技术进入后摩尔时代。学界和业界一直在探索超越互补金属氧化物半导体（beyond CMOS）架构的方...