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中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
中国科学院金属研究所专利：窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
中国科学院金属研究所专利：窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法
光刻是一种高精度制造技术，广泛应用于半导体行业。基于光刻的硅基电子制造工艺已达到5纳米技术节点，单颗芯片上晶体管数量已达百亿级。相比之下，基于溶液法加工的有机电子学微型化远远落后于硅基电子学。现有印刷有机电路的晶体管密度往往只有60 units cm-2。通过光刻加工有机电路所有部件（如有机半导体、电介质和导体）的全光刻工艺方案无疑是推进有机电子学微型化和高密度集成的有效手段。
中国科学院金属研究所研制出窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管（图）
中国科学院金属研究所 窄带隙 半导体性 单壁碳纳米管
2016/3/31
单壁碳纳米管（SWCNT）因碳原子排布方式不同可表现为金属性或半导体性，其中半导体性SWCNT具有纳米尺度、良好的结构稳定性、可调的带隙和高载流子迁移率，被认为是构建高性能场效应晶体管的理想沟道材料，并可望在新一代柔性电子器件中获得应用。然而，金属性和半导体性SWCNT的结构和生成能差异细微，通常制备得到的碳纳米管中含有约三分之一金属性和三分之二半导体性SWCNT，这种不同导电属性SWCNT的混合...