搜索结果: 1-12 共查到“电子科学与技术 纳米晶”相关记录12条 . 查询时间(0.174 秒)
由形貌、尺寸调控引起的量子尺寸效应、限域效应成为纳米材料领域最重要的发现之一，开始了对物质在纳米尺度上的新认识，尤其是半导体纳米晶材料。随着光电、信息以及新能源应用的特征尺寸不断减小，器件应用已对半导体纳米晶材料的微纳结构、异质界面提出更高的要求。在尺寸、形貌等引起物理/化学性质调控的同时，其杂质工程、能带工程研究引起的界面调控及器件级组装及性能应用成为瓶颈问题之一。张加涛研究团队在学校先进材料实...
日前，西北工业大学黄维院士与新加坡国立大学刘小钢教授（西北工业大学长江学者讲座教授）以及福州大学杨黄浩教授带领下的国际合作团队，在X射线闪烁体研究领域取得了突破性的重大进展，使之成为可能。
近日，北理工材料学院结构可控先进功能材料与绿色应用北京市重点实验室张加涛教授研究团队的刘佳特别研究员，在Plasmon金属@半导体异质纳米晶的精准合成、热电子注入及光电催化高效应用等研究领域取得连续突破，相关研究成果相继发表于工程技术材料科学领域1区杂志《Nano Energy》(共同一作，影响因子12.3)与工程技术能源与材料领域1区杂志《Journal of Materials Chemist...
半导体之所以能被广泛应用在今日的光电产品世界中，凭借的就是在其晶格中掺杂少量的杂质改变其电性，优化半导体纳米晶体的光、电、磁特性。半导体的掺杂研究为高效率发光器件、太阳能电池、自旋电子器件等新型光电子器件的制造奠定坚实的基础。由于纳米晶体积小，纳米晶体中杂质原子的非均匀分布对器件的工作性能和稳定性存在负面的影响。另外，由于纳米晶体生长速度快，使掺杂过程较难控制。目前的研究表明，半导体纳米晶中的存在...
铜基硫化物纳米晶作为重要的半导体材料，在光电、传感以及能源转换等领域受到了广泛的关注。近年来，研究发现非化学计量比Cu2-xS纳米晶在近红外区表现出强烈的等离子共振吸收性质，且这种独特的光学性质可通过晶体中的缺陷密度及颗粒尺寸、形貌加以调控，从而使得它在生物医药领域有极佳的应用前景。
稀土掺杂半导体纳米晶研究获进展（图）
稀土 半导体 纳米晶
2011/10/12
稀土离子和半导体纳米晶（或量子点）本身都是很好的发光材料，二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比，半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多，因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著，从而有可能通过尺寸调控来设计一些具有新颖光电性能的发光材料。同时由于稀土离子和基质阳离子的离子半径差异大，电荷不匹配，三价稀土离子一般很难以替代晶格位...
气相火焰燃烧合成锌掺杂TiO2纳米晶的光催化性能
火焰燃烧 二氧化钛 纳米晶
2009/11/10
以四氯化钛和乙酰丙酮锌为原料，采用气相火焰燃烧合成锌掺杂TiO2纳米晶，利用XRD, XPS和ICP-AES研究了纳米晶结构，考察了锌掺杂TiO2纳米晶在紫外光辐照下催化降解罗丹明B(Rhodamine B)的活性，探讨了光催化机理. 研究结果表明，掺杂相锌主要分布在TiO2表相，并形成均匀分散的ZnO团簇；燃烧过程中锌掺杂对纳米TiO2的晶相组成及晶粒尺寸影响不大. 当掺杂量为0.21%(mol...
三元多碲化物纳米晶的新方法制备及表征
微波溶剂热法 纳米晶 金属碲化物
2009/11/10
以硝酸银、氯化亚锡和碲粉为原料经微波溶剂热法制备纳米晶粉体Ag8SnTe6, 通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等手段表征其组成. 讨论了合成时间和有机溶剂填充度等条件对化合物产率和粒径的影响. 阐述了微波溶剂热法合成纳米晶的机理. 漫反射紫外可见吸收光谱(UV-Vis)表明其禁带宽度为2.58 eV，具有优良的半导体性能.
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InN半导体纳米晶相变活化能的研究
InN半导体纳米晶 差示扫描量热法 活化能
2009/10/21
导出了相变活化能E与加热速率Φ和峰值温度Tp的关系表达式.用差示扫描量热分析法,研究了InN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数Tp.然后根据导出的关系表达式和实验数据,计算所得的InN半导体纳米晶由立方相转变为六方相的相变活化能为E=1.3466×103kJ／mol.
微电子研究所有机电子器件和阻变、纳米晶浮栅存储器研究取得进展
有机电子器件 阻变 纳米晶浮栅存储器
2009/7/14
在中科院、国家自然科学基金委、科技部的支持下，中科院微电子所微细加工与纳米技术研究室研究员刘明领导的有机分子电子器件小组长期以来致力于分子电子学中的基本问题的研究，近期在高性能有机场效应晶体管方面取得了最新的研究进展。相关研究成果发表在6月29日出版的英国皇家学会的知名期刊《材料化学》（Journal of Materials Chemistry. 2009, advanced article）上...
中国科学院微电子研究所在纳米晶浮栅存储器领域取得最新进展
中国科学院微电子研究所 纳米晶 浮栅存储器
2009/9/10
中国科学院微电子研究所三室针对目前传统主流Flash技术遇到的技术难点，围绕国际上高密度半导体非挥发性存储技术的主流方向纳米晶浮栅存储器，以产学研结合的方式，开展了纳米晶浮栅存储器存储材料及关键技术研究，立足新型存储材料研发，并紧密结合工艺集成和电路应用的配套方案，在企业生产线上进行了应用可行性验证。结合宏力公司存储单元流片测试结果，目前我所与清华大学微电子学研究所合作正在开展纳米晶浮栅存储器电路...