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中国科学院可控生长InSb纳米低维结构及其高质量量子器件研究获进展（图）
纳米低维结构 量子器件 半导体材料
2023/3/15
窄带InSb半导体材料以高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称，成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体-超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构如纳米线或2D InSb纳米结构（或量子阱），也因丰富的量子现象、优异的可调控性而颇具潜力。然而，InSb量子阱由于大晶格常数，较难在绝缘基板上外延生长。解决这些问题的方法之一是自...
西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第六章 量子器件与热电子器件。
2013年7月30日，由北京大学信息科学技术学院“千人计划”教授徐洪起担任首席科学家的国家重大科学研究计划“新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件”项目中期总结会议在中关新园举行。
