搜索结果: 1-15 共查到“电子技术 结构”相关记录244条 . 查询时间(0.508 秒)
中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展(图)
结构 器件 晶体管
2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩,1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著,导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战,在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件,形成的2T0C单元尺寸(大约20F2)比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸(6F2)大很多,...
针对负载和耦合系数均有可能大范围变化的实际工况,提出一种新型的基于铁磁谐振的非线性无线电能传输拓扑结构。首先,使用杜芬方程和相量分析法对工作原理进行定性分析;其次,使用有限元电路仿真软件对上述原理进行数值验证计算;最后,搭建了功率可达566 W、效率可达93.5%的非线性拓扑无线电能传输系统原型。实验结果表明,在次级稳压输出200 V的条件下,提出的非线性LCC-LCC拓扑能够适应耦合系数从0.1...
移动中继双向无线充电系统拓扑结构设计
移动中继电源 无线充电 双向拓扑结构 功率变换
2024/3/5
移动中继无线充电系统可实现其与地面端电源和负载间的双向无线电能传输,使电能存储和充电更具便携性和灵活性,易于实现电工装备的无人化与智能化。作为新型无线充电系统,移动中继无线充电装置设计的重点和难点之一是电能的双向变换,因此提出针对移动中继双向无线充电的功率变换新型拓扑结构,设计具体参数,并进行仿真和实验验证。建立双向无线充电系统仿真模型,对不同互感、负载、输出功率下的系统进行仿真研究,并搭建了10...
钠离子层状氧化物正极材料的能量密度由氧化还原电对可实现的电荷转移数和工作电压决定。为了提高能量密度研究人员提出了多种策略:例如,设计具有较多氧化还原活性中心的高镍和富锰正极材料;触发正极材料的阴离子氧化还原反应等。然而,高Ni含量会增加电池成本,富Mn材料因Mn3+的Jahn-Teller畸变具有较差的倍率性能和结构稳定性,阴离子氧化还原易造成晶格氧流失,导致电极动力学缓慢、电压滞后和电压衰减。因...
中国科学院力学所在化学无序材料电子结构预测方面取得进展(图)
化学无序材料 电子结构 预测 阴离子
2023/6/27
确定材料的微结构是认识和改性材料的前提。化学无序材料指晶格有序但元素成分无序的一类材料。从化学成分的角度来看,化学无序材料可分为阴离子、阳离子和缺陷对应体,可以简单地认为是阴离子、阳离子和缺陷占据了非周期位点。化学无序材料由于其独特的性质在半导体、高温超导体、金属合金、陶瓷和沸石催化剂等领域被广泛应用。研究无序材料的结构对于理解无序材料性质和指导实验具有非常重要的价值。因为部分晶格位点的原子占据不...
中国科学院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得创新进展(图)
晶体管 平面结构 器件堆叠
2023/8/21
随着尺寸的不断微缩,1T1C结构动态随机存储器(DRAM)的存储电容限制问题愈发显著,导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈,在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件,形成的2T0C单元尺寸(大约20F2)比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸(6F2)大很多,使IGZO-D...
近日,南方科技大学电子与电气工程系教授陈锐研究团队针对深能级缺陷对钙钛矿结构的稳定性,通过原子层沉积技术(ALD)将钙钛矿微晶包裹在致密的Al2O3膜中,发现钙钛矿微晶在高温下分解的可挥发性气体能被保留在这密封的微环境中。有趣的是,在样品的温度冷却过程中,分解的挥发性气体在应力和氢键引力的作用下重新合成,结构发生了重结晶的现象。通过激光光谱学的手段进行表征,发现大部分深能级缺陷(Deep leve...