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近年来,随着芯片制程逐渐逼近物理极限,面对硅材料的固有限制,芯片先进工艺尺寸微缩如何继续?芯片功能如何扩展?而得益于二维(2D)材料的原子级厚度和表面无悬挂键的结构特性、优异的光电及量子效应等,2D材料被广泛认为在后摩尔技术中扮演关键角色。那么,如何充分利用2D半导体来弥补硅基技术的不足?鉴于此,浙江大学徐明生教授、杨德仁院士和复旦大学周鹏教授团队为2D半导体融合于硅基技术提出了单片「硅上」(硅作...
从2008年铁基超导发现到今天,寻找具有更高超导转变温度的超导材料和理解高温超导电性的产生机理是科学家追寻的梦想。FeSe是铁基超导体里结构最简单的材料,但因为缺少高质量单晶材料,对其电子结构的研究却是极为匮乏。最近,清华大学薛其坤研究组和中科院物理所周兴江研究组利用STM和ARPES发现,在SrTiO3衬底上生长的单层FeSe薄膜,具有铁基超导体里最大的超导能隙,并可能对应着高达65K的超导转变...

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