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来自瑞典歌德堡的查默斯理工大学的研究人员发现，以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的3D芯片堆栈，效果会比铜来得更好。TSV是将芯片以3D堆栈方式形成一个系统，而非将它们平行排列在电路板上，以提高芯片之间通讯的速度；但遗憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的铜，却会导致热膨胀的问题，因为铜遇热会比周围的硅材料膨胀更多。
微电子所发起的首个硅通孔(TSV)技术攻关联合体在京成立（图）
微电子所 硅通孔 成立
2011/10/28
2011年7月9日，在国家02专项和中国封装测试联盟的支持下，由中国科学院微电子研究所发起的国内首个硅通孔（TSV）技术攻关联合体在北京宣告成立并启动了第1期攻关项目。科技部02专项责任专家于燮康，02专项专家组组长、中国科学院微电子所所长叶甜春以及近30家企业和科研单位代表参加了启动会。
2011年7月9日，在国家02专项和中国封装测试联盟的支持下，由中国科学院微电子研究所发起的国内首个硅通孔（TSV）技术攻关联合体在北京宣告成立并启动了第1期攻关项目。科技部02专项责任专家于燮康，02专项专家组组长、中科院微电子所所长叶甜春以及近30家企业和科研单位代表参加了启动会。
Novellus开发全新TSV封装铜底层技术
开发 TSV封装 技术
2011/10/31
诺发系统(Novellus)日前宣布开发出一套全新先进的铜阻障底层物理气相沉积(PVD)制程，其将用于新兴的贯穿硅晶圆通路(TSV)封装市场，该制程使用诺发INOVA平台，并搭配特有的中空阴极电磁管(HCM)技术制造出高贴附性的铜底层。
杜邦推出PerMX 3000感光型干膜介电材料 用于TSV、WLP及MEMS（图）
感光型干膜 TSV WLP MEMS
2011/11/1
杜邦电子科技事业部旗下晶圆级封装解决方案（Wafer Lavel Packaging Solutions）推出DuPont PerMX 3000感光型介电干膜光阻( PerMX 3000 photodielectric)。这是杜邦首度推出的新一系列永久性高解析能力并具有低温制程能力的环氧树脂光阻，特别适合用于3D及直通硅晶穿孔（3D/TSV）、晶圆级封装（WLP）以及微机电（MEMS）的用途上。这...
日本早稻田大学开发出低成本3D TSV布线工艺
开发 成本 TSV布线工艺
2011/11/3
据日经BP社报道，日本早稻田大学发布了能够利用硅通孔（TSV）布线以低成本制造三维积层LSI的工艺。该工艺由早大大学院先进理工学研究科庄子研究室开发，日本IBM东京基础研究所也予以参与。
亚微纳公司首次推出TSV工艺整合设备Versalis fxP（图）
工艺整合 解决方案
2011/11/3
亚微纳技术公司(AVIZA Technology），一家服务于全球半导体业及相关市场的先进半导体主要生产设备及工艺技术供应商在日前宣布推出Versalis fxP系统。它是一个200/300mm集群系统，专为利用穿透硅通孔技术制造三维集成电路而设计。亚微纳公司在开发此类独一无二的研发用工艺整合解决方案方面处于领先地位，该技术可包含数个不同工序，包括蚀刻、PVD及CVD，其目的是为了提供快速制造出功...