搜索结果: 1-5 共查到“知识要闻 电子科学与技术 MOSFET”相关记录5条 . 查询时间(0.067 秒)
近日，我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在III-V族半导体界面钝化及MOSFET器件领域取得重要进展。该组2篇研究文章《Interface modulation and optimization of electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ALD-derived Al2O3 passivation layer and formin...
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。碳化硅电力电子器件，特别是SiC MOSFET器件是下一代高效电力电...
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在高迁移率锗锡沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展。该团队在2014年6月8日到12日美国夏威夷举行的IEEE VLSI Symposia Technology and Circuits（简称VLSI年会）上报告了题为《Undoped Ge0.92Sn0.08 Quantum Well PMOSFETs on (001), (...
Vishay新型TrenchFET？功率MOSFET实现业内最低导通电阻
功率 实现 低导通电阻
2011/11/4
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
飞思卡尔半导体推出四组输出集成MOSFET器件MC34700
半导体 集成电路
2011/11/3
随着电子制造商把越来越多的功能封装到更小的器件，空间在电源供给以及系统主板上就显得尤为珍贵。为了帮助开发人员设计紧凑电源，飞思卡尔半导体在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路，这些产品已经对空间受限的高电压和高功率应用进行了优化。