搜索结果: 1-15 共查到“知识库 电子技术 晶体”相关记录25条 . 查询时间(0.151 秒)
二维光子晶体中反常Doppler效应的相位演变
光子晶体 反常Doppler效应 负折射 相位演变
2017/2/27
光在具有负等效折射率的二维光子晶体中传输时会产生反常Doppler现象，为了分析光在该反常效应中传输时的相位变化，首先用时域有限差分（FDTD）法仿真了光经过静止光子晶体时的负折射现象，然后对光子晶体中沿光传输方向的Bloch波做快速傅里叶（FFT）处理。对滤波后的频谱，用iFFT反演出各平面波分量，并通过分析各平面波分量的相位演变，分离出与负折射产生有关的后退波分量。然后，将实验中的连续运动过程...
石英晶体测试系统中DDS信号源设计
石英晶体 DDS AD9852 STM32F103ZET6
2013/5/14
针对π网络石英晶体参数测试系统,采用以STM32F103ZET6型ARM为MCU控制DDS产生激励信号。该测试系统相对于传统的PC机测试系统具有设备简单、操作方便,较之普通单片机测试系统又具有资源丰富、运算速度更快等优点。AD9852型DDS在ARM控制下能产生0~100 MHz扫频信号,经试验数据分析得到信号精度达到0.5×10-6,基本满足设计要求。该系统将以其小巧、快速、操作方便、等优点被广...
基于全矢量平面波方法，以聚甲基丙烯酸甲酯为基材，设计了一种高双折射光子晶体光纤，并对其传输性质和偏振特性进行了数值模拟。结果表明，椭圆孔六角点阵聚合物光子晶体光纤的双折射是由于包层的不对称性引起的全局双折射，通过调节椭圆率，发现该光纤可以以单模方式在一合适波段运行，该波段与聚合物光纤的低损耗通信窗口一致。并且在 时，其双折射最高可达 。该研究结果为高双折射聚合物光子晶体保偏光纤的制备提供了理论依据...
由于易于集成, 基于有机场效应晶体管的非挥发性存储器件在低成本、轻便、柔性存储领域具有广泛的应用前景. 本文综述了浮栅型、有机电介体型和铁电型以及其他一些特殊结构的有机场效应晶体管存储器的最新研究进展, 并对目前所存在的主要问题进行了讨论.
一种新的基于晶体管级的电路划分算法
电路划分 分块规模差异 互联信号线
2009/12/28
随着VLSI电路规模的不断增加，为实现电路并行仿真所做的电路划分算法的质量显得日益重要。鉴于现有算法未能同时保证均衡的分块间规模和最少的互联信号数目，该文提出了一种新的基于晶体管级的电路划分算法。该算法首先通过一个聚合过程对电路网表进行分割，得到一个比较好的初始分割；然后通过平衡分块间规模差异和进一步优化分块间互连线的数目，最终得到理想的电路划分结果。应用该电路划分算法对工业界的实际电路网表进行测...
i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
异质结绝缘栅场效应晶体管 低场特性 结构参数
2009/11/17
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的ID-VD-VG,IDS-VG,Gm,和CG等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在VG<2V,ID
基于杂质带的光子晶体矩形波形滤波器的实现
光子晶体 原子耦合 杂质带
2009/10/22
利用转移矩阵方法对基于杂质带的光子晶体矩形波形滤波器的实现进行了研究.除了可选择不同折射率的材料外，该滤波器还可通过调整光子晶体本身的结构参量来实现.对较平杂质带的形成机制做了具体的理论分析和解释，通过数值计算光子晶体原子耦合成光子晶体分子的过程，发现光子晶体原子的线宽与光子晶体分子线宽之间的相对大小是决定能否形成较平杂质带的重要参量.
氟离子敏感场效应晶体管的研究
场效应晶体管 氟离子敏感场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管
2009/10/20
本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的稳定性和重复性的原因做了推测。
晶体管非线性失真分析
晶体管 失真 非线性分析
2009/10/15
本文从器件物理和结构上提出双极型晶体管非线性失真模型。模型包含8个参量:(1)有效基区展宽效应;(2)发射极电流集边效应;(3)基区电导调制效应;(4)发射结电阻的非线性效应;(5)发射结电容的非线性效应;(6)集电结电容的非线性效应;(7)寄生电容的非线性效应;(8)电流放大系数和雪崩倍增效应与电压的非线性关系。利用Taylor级数展开分析各模型参数,并编制了计算程序,定量计算了互调失真与工作频...
双极晶体管的1/f噪声参数fL和γ的测量提取——噪声电流谱测量法
噪声测量 1/f噪声 fL和γ参数
2009/9/23
晶体管低频噪声主要是1/f噪声,其参数fL和γ的测出,不仅对低频低噪声设计,而且对于研究半导体噪声机理以及应用它来分析半导体内部缺陷或表面清洁处理情况都有着重要意义。本文给出了双极晶体管的1/f噪声参数的测量方法、系统及实例,获得了已有噪声测量系统所不能给出的参数。
2维光子晶体谐振腔的分析与模拟
光子晶体 光子禁带 2维光子晶体谐振腔
2009/8/25
为指导光子晶体谐振腔的设计,运用3维电磁场仿真软件HFSS模拟了2维光子晶体谐振腔，分析了影响2维光子晶体谐振腔的主要特性参数，主要包括所插介质杆的排列结构、介电常数及其半径和间距。研究表明，在其它条件保持不变时，若增大介质杆半径，则同一模式频率没有同一的变化规律;若增大介质杆介电常数，则出现的规则模式减少，并且没有基模出现，同一个模式，频率明显降低；若增大介质杆间距，则计算的频率间隔减小，对其它...
共轴环光子晶体的缺陷微腔特性
光子晶体 缺陷微腔 功率损耗特性
2009/8/24
采用数值计算方法，模拟了共轴环光子晶体缺陷微腔的谐振模式场分布，计算了此微腔的品质因数和功率损耗，并分析其几何参数对谐振特性的影响。以此缺陷微腔为基础构建周期性慢波系统，讨论了该系统的色散特性。结果表明，微腔中能够存在单一的谐振模式，微腔的纵向长度和介质环介电常数对谐振特性影响较大。所构建的慢波系统有较宽的慢波频域，且慢波比曲线较为平坦。增大电子注开孔半径和减小周期长度对于提高工作频率及增加带宽较...
基于压控单元的单电子晶体管宏模型
等效电路 宏模型 纳米遂穿结 单电子晶体管
2012/11/20
在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上，笔者采用等效电路的方法，提出了基于压控单元的SET宏模型，仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比，得出曲线的走势与理想曲线基本一致，偏差不大.并且通过计算表明，数值的精度在合理范围内，验证了模型的合理性.
铟量子点实现单电子晶体管方法
单电子晶体管 库仑阻塞 量子点
2009/5/31
研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管，它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的．实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点．该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛，构成了多岛结构的单电子晶体管．