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北京大学微电子所宽禁带半导体研究室
北京大学微电子所宽禁带半导体研究室 宽禁带半导体 GaN基微波功率HEMT器件
2007/12/10
基于宽禁带电子器件研究的重要性和迫切性，在王阳元院士倡仪下，集结了微电子研究院相关课题组的科研骨干，于2004年成立了北大宽禁带半导体组。从成立之处，课题组得到了微电子研究院的高度重视和大力支持，开展了针对GaN基微波功率HEMT器件设计、工艺、模型和测试等方面的研究工作。先后承担了多项国家级重点研究项目，取得了显著的进展。