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搜索结果: 46-60 共查到国际动态 半导体技术相关记录214条 . 查询时间(2.758 秒)
一个国际研究团队设计并制造了一种直接在内存中运行计算的芯片,可运行各种人工智能(AI)应用,而且它能在保持高精度的同时,仅消耗通用AI计算平台所耗能量的一小部分,兼具高效率和通用性。相关研究发表在最近的《自然》杂志上。
Silicon is one of the most abundant elements on Earth, and in its pure form the material has become the foundation of much of modern technology, from solar cells to computer chips. But silicon’s prope...
Cornell engineers and materials scientists have added a state-of-the-art tool to their suite of laboratory equipment that has helped make the university a world leader in the study of gallium oxide, a...
近日,南方科技大学深港微电子学院刘小龙课题组在集成电路设计领域国际高水平期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs (TCAS-II) 发表综述文章“Injection-locking techniques for CMOS millimeter-wave and terahertz signal generatio...
联发科2022年6月29日宣布与美国普渡大学合作,在印第安纳州西拉法叶成立半导体芯片设计中心,并初步计划朝芯片设计学位课程、下一代计算和通信芯片设计等方向展开先进前瞻技术的研究合作。
据发表在《自然》杂志上的论文,澳大利亚新南威尔士大学量子计算机物理学家团队设计了一个原子尺度的量子处理器,能够模拟小有机分子的行为,攻克了大约60年前理论物理学家理查德·费曼提出的挑战。该校初创企业“硅量子计算”公司(SQC)6月23日宣布创造出世界上第一个原子级量子集成电路。
日本研究人员开发出一种纳米纤维素纸半导体,其展现了3D结构的纳米—微米—宏观跨尺度可设计性以及电性能的广泛可调性。研究结果日前发表在美国化学学会核心期刊《ACS纳米》上。
近日,东南大学物理学院王金兰教授、马亮教授材料多尺度模拟团队在二维材料的层数可控生长机理方面取得了重要进展,与南京大学王欣然教授实验团队合作实现了厘米级均匀双层MoS2薄膜的层数可控外延生长,成果以“Uniform nucleation and epitaxy of bilayer molybdenum disulfide on sapphire”为题,2022年5月4日在线发表于Nature。
近日,南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展,特色研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关成果分别发表于国际微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron ...
近日,南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率和传感器件领域取得重要进展,特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、以及角度和压力传感器件。相关成果分别发表于国际微电子器件顶级期刊IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions...
A growing gap in the transition of inventions from research labs to market is slowing the development and scale-up of new hardware technologies in the United States. This is particularly evident in co...
近日,南方科技大学工学院国家示范性微电子学院于洪宇院长团队在宽禁带半导体材料和器件领域取得重要进展,特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、实现低磁滞和高稳定性的HfO2/GaN MIS-HEMT器件、精确控制InAlN/GaN异质结构刻蚀深度和表面形貌的新型原子层刻蚀技术,以及高性能Ga2O3功率二极管制备。...
When it comes to creating next-generation electronics, two-dimensional semiconductors have a big edge. They’re faster, more powerful and more efficient. They’re also incredibly difficult to fabricate.
2021年11月23日,全球最大的非营利专业技术学会IEEE(国际电气与电子工程师协会)公布2022年Fellow名单,电子与信息学院车文荃教授、章秀银教授双双当选。IEEE是世界上电子、电气、计算机、通信、自动化工程技术研究领域中最著名、规模最大的非营利性跨国学术组织,有160多个国家和地区约42万会员和39个专业分会,是信息技术领域最重要的创新驱动源之一。IEEE Fellow是IEEE授予会...
MIT engineers report creating the first high-quality thin films of a new family of semiconductor materials. The feat, which lead researcher Rafael Jaramillo refers to as his “white whale” because of h...

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