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搜索结果: 1-15 共查到国际动态 半导体器件与技术相关记录20条 . 查询时间(0.852 秒)
近日,南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在下一代存算芯片领域取得重要进展,相关研究成果相继发表在国际顶级期刊Nature Communications、材料领域知名期刊Advanced Electronic Materials、ACS Omega(获选为封面文章)。
近日,2023年度集成电路设计领域顶级会议IEEE ESSCIRC在葡萄牙里斯本召开。南方科技大学深港微电子学院刘小龙课题组的论文“A 18.5-to-22.4GHz Class-F23 VCO Achieving 189.1dBc/Hz FoM Without 2nd/3rd-Harmonic Tuning in 65nm CMOS”入选了此会议。该论文的第一作者为深港微电子学院2022级硕士生...
在CIOE2023期间,,高价值模拟半导体代工解决方案的领导者Tower Semiconductor(“高塔半导体”或“高塔”)(纳斯达克/特拉维夫证交所:TSEM)和数据中心光学的领导者旭创科技(“旭创”),宣布合作开发基于高塔硅光工艺平台(PH18)的多代高速光收发器。随着生产的进行,这一战略合作伙伴关系有望实现尖端的解决方案,以支持人工智能、数据中心和下一代电信网络日益增长的需求。根据市场调...
近日,南京工业大学柔性电子(未来技术)学院黄维院士、秦天石教授、王芳芳副教授在高效稳定钙钛矿太阳能电池领域取得了重要成果,相关成果“Monolithically-grained perovskite solar cell with Mortise-Tenon structure for charge extraction balance”发表在国际权威期刊Nature Communications...
2023年5月25日,国际权威期刊《自然》在线发表了关于铅基钙钛矿太阳能电池中固铅方面的前瞻性文章(perspective),我校柔性电子(未来技术)学院/先进材料研究院张辉老师为本文第一作者,南京工业大学为第一作者单位。
Packaging is the final step in the process for manufacturing a semiconductor device. A critical tool for packing is the die bonder, which facilitates device assembly typically by attaching a chip in a...
近日,澳大利亚UVLED厂商的SilannaUV推出了最新远紫外和深紫外LED封装产品,新品利用了SilannaUV专有的短周期超晶格(SPSL)技术,该技术可为230-265nmLED器件提供高性能表现,包括为235nm器件提供量产产品中最高的输出功率。
ROHM针对包括PLC等控制装置在内的FA装置、调制解调器和路由器等通讯控制装置的指示灯和数字显示,研发出将微发光应用优化的1608尺寸(1.6mm×0.8mm)LED「CSL1901系列」。
科技日报消息称,韩国科学技术研究院(KIST)神经形态工程中心研究团队开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件,解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然·通讯》杂志上。
2022年9月15日,首尔半导体宣布,其UVC消毒技术解决方案Violeds安装在了全球豪华汽车品牌Genesis的座间储物箱中,对乘客物品进行消毒GenesisG90已在2022上半年正式上市,在G90后部的扶手储物箱中配备了UVCLED灯,集成了首尔半导体的violeds消毒技术,为乘客的物品进行消毒,同时也是面对疫情时代所做出的防护准备。据了解,根据汽车型号的不同,储物箱安装了6至12盏LE...
近日,南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展,特色研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关成果分别发表于国际微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron ...
近日,南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率和传感器件领域取得重要进展,特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、以及角度和压力传感器件。相关成果分别发表于国际微电子器件顶级期刊IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions...
近日,南方科技大学工学院国家示范性微电子学院于洪宇院长团队在宽禁带半导体材料和器件领域取得重要进展,特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、实现低磁滞和高稳定性的HfO2/GaN MIS-HEMT器件、精确控制InAlN/GaN异质结构刻蚀深度和表面形貌的新型原子层刻蚀技术,以及高性能Ga2O3功率二极管制备。...
在刚刚出版的《科学》杂志上,IBM的研究人员展示了一种由石墨烯材料制作而成的场效应晶体管(FET),其截止频率可达100吉赫兹(GHz),这是迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管。这一成就是美国国防部高级研究计划局“碳电子射频应用项目”取得的重大进展,为研发下一代通信设备铺平了道路。
 中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)近日宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体 (CMOS) 技术将延伸至40纳米以及55纳米。这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力,更好地满足全球客户的需求,包括快速增长的中国市场在内。其应用产品包括多媒体产品、图形芯片、芯片组以及手机设备(如3G/4G 手机)。

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