搜索结果: 1-15 共查到“知识库 电子科学与技术 铜”相关记录19条 . 查询时间(0.274 秒)
包覆较厚介质层的金属铜球在聚焦光场中的捕获特性研究
单光束梯度阱 微球 光学捕获
2016/9/5
基于核(金属)/壳(介质)微球的单光束梯度阱模型,计算了外面包覆较厚聚苯乙烯的铜微球在聚焦光场中的轴向散射力、梯度力以及合力,分析了表面被高度氧化的铜微球的轴向捕获力。不同于纯金属米氏粒子,外层包覆较厚介质材料的金属粒子在聚焦光场中容易被捕获但不能被捕获在聚焦光束的高强度区域。光学微操作实验显示:高度氧化的铜微球能被聚焦的高斯光束捕获并可以在平面内移动。理论和实验结果便于研究核壳结构金属微粒的光学...
研究单纳米线拉伸动态特性及原子链拉伸的制造，掌握其在拉伸状态下的动态特性变化和单原子链状态下的特殊性质以向原子器件制造方向发展，是目前纳米科学的前沿研究课题之一. 但目前没有一套有效的方案来实现将单根纳米线置于可拉伸的微动机构上进行拉伸，制约了该方向的发展. 本文借助微电子机械系统（MEMS）技术制造的纳米线拉伸特殊微动机构芯片进行研究，并针对特殊微动芯片悬空电极极度超高且亲水性好，而无法依靠常规...
图案化金属铜膜的SIAD法自组装制备
图案化金属铜膜 小入射角沉积(SIAD) 定向压应力 层-线状生长 自组装制备
2013/8/7
利用新发展的小入射角沉积(SIAD)技术在玻璃衬底上自组装制备了图案化金属铜膜. 利用金相显微镜(MM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)/选区电子衍射(SAED)/能量弥散X射线光谱仪(EDX)以及X射线衍射仪(XRD)等技术对所制备的图案化金属铜膜进行了表征. 通过分析对比SIAD和垂直入射沉积(NID)铜沉积物的形貌和结构差异, 揭示了图案化金属铜膜的形成机理.
Novellus开发全新TSV封装铜底层技术
开发 TSV封装 技术
2011/10/31
诺发系统(Novellus)日前宣布开发出一套全新先进的铜阻障底层物理气相沉积(PVD)制程，其将用于新兴的贯穿硅晶圆通路(TSV)封装市场，该制程使用诺发INOVA平台，并搭配特有的中空阴极电磁管(HCM)技术制造出高贴附性的铜底层。
强激光辐照下纳米铜动态拉伸型断裂的数值模拟
纳米铜 含逾渗软化函数 层裂
2009/11/3
基于强激光辐照加载下纳米铜的层裂实验，采用含逾渗软化函数的损伤度函数模型对实验结果进行了数值模拟研究。强激光加载条件被简化为高斯分布脉冲压力施加在镍合金基体的前表面上。数值计算结果显示：损伤演化明显地改变了试样中波传播特性，无论是对微损伤还是完全层裂的试样，计算都较好地再现了实测自由面速度剖面，表明了含逾渗软化函数的损伤度函数模型在强激光加载条件下纳米铜层裂问题分析中具有较好适用性。
超短脉冲激光诱导单晶铜熔化的物理机制
物理机制 熔化 皮秒激光脉冲
2009/8/24
采用校正的分子动力学方法研究了超短脉冲熔化单晶铜的动力学微观机制，建模时将熔化潜热的消耗及自由电子的热传导均考虑在内，使熔化过程的模拟更加真实。皮秒激光熔化单晶铜是一种过热熔化，可归因于液相在固相中的均匀形核。熔沿传播的速度高达5.8 nm/ps ，高于铜中声速。熔化发生在热约束区域内部，导致温度分布不太复杂，且卸载波对应力波的影响与应力约束区域相比较弱。
熔石英表面铜膜污染物诱导损伤实验研究
熔石英 污染物 铜膜 表面损伤
2009/8/21
在熔石英元件表面溅射一层厚度小于10 nm的金属铜膜污染物，并测试元件的透过率。测试355 nm熔石英元件的激光损伤阈值，并用光学显微镜观测损伤形态。实验结果表明：污染后的熔石英元件的损伤阈值降低20%左右，元件表面的金属污染物薄膜经强激光辐照，在熔石英表面形成很多坑状微损伤，分布不均的热应力导致表面起伏，并有明显的烧蚀现象，导致基底损伤阈值下降。建立的光吸收和热沉积传输模型初步解释污染物膜层导致...
ULSI中铜互连及其可靠性的研究与进展
铜互连 基本可靠性单元 可靠性技术
2009/6/5
随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展，铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要．分析和比较了铜互连关键工艺，叙述了对铜互连损耗和铜通孔损耗的研究进展，对铜互连基本可靠性单元进行了讨论，指出现在仍然存在的问题，并给出了解决这些关键技术可能的方法．
单畴钇钡铜氧块材高Q值谐振腔研究
温超导 微波谐振腔 微波表面电阻
2009/2/18
在对高Q值的微波谐振腔的研究中, 尤其是对低温超导谐振腔（超导铌腔）的研究取得了很大的进展，生产加工技术也日趋成熟,而用高温超导材料来制备高Q值的谐振腔还不成熟。从高温超导体的表面电阻，生成方法，物质的微观结构等方面进行分析，实验中，通过一个端面用单畴YBCO块材代替无氧铜，在50K时谐振腔Q值就增加到原来的5倍，在20K时全部用单畴YBCO谐振腔，Q值有望达到铜腔的70倍，谐振腔的性能有明显的提...
超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平米面化抛光液
化学机械 集成电路 抛光液
2008/10/30
该发明属于一种抛光液，特别设计一种超大规模集成电路多层同步先用化学机械全局平面化抛光液。随着电子技术的发展，超大规模集成电路芯片集成度已高达几十个亿个元件，特征尺寸已进入纳米级，这就要求微电子工艺中的近百道工序，尤其是多层步险、沉底、介质必须进行化学机械全局平面化，而化学机械抛光已被证明是尊号的平整方法，为保证铜步线与介质的选择性，目前超大规模集成电路芯片多层不线，抛光后的铜离子及表面吸附物易...
大规模集成电路用高强度铜基引线框架材料的研制
引线带材 电子器件 集成电路
2008/10/30
深入系统地研究了热加工工艺、冷加工工艺及时效工艺对合金组织和性能的影响规律，以及时效析出与回复再结晶过程的交互作用，在该基础上优化并设计出 Cu-Ni-Si带材整个加工工艺流程。在优化的带材加工工艺流程上，研制出的Cu-Ni-Si合金引线框架薄带，经测试，其性能指标如下：显微硬度力：231一265HV，抗拉强度为：750一820MPa，导电率为：43-48％IACS，延伸率为6-7％，反复弯曲次数...
大规模集成电路用铜基引线框架材料及异型铜带的研究开发
集成电路 异型铜带
2008/10/30
该项目综合采用微量多元合金化和形变强化原理对框架用铜合金进行成分设计和优化，进行了合金时效析出机理与性能预测，研究了板带热加工与热处理过程中强化相析出与再结晶的交互作用，热轧板坯余热在线固溶处理及对合金组织及性能的影响。在材料的微合金化设计，微量元素的精确控制技术，材料的形变热处理技术，材料的表面处理技术，板带的残余应力控制技术和板型控制技术，材料的应用性能研究取得了重大突破。该成果使铜合金...
集成电路引线框架用铜带（铜-铁-磷系列合金）
引线框架 集成电路铜带
2008/10/30
该公司根据顾客要求，并通过对引线框架材料的研究，确定出了JC1合金化学成分、机械性能、外形尺寸及允许偏差、导电率和耐热性能等要求，于1996年底开始试制，经过不断的摸索，制定出了一套成熟的生产工艺，引线框架材料具有高强度、高导电、高导热性、良好的焊接性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性、冲制性、光刻性等一系列综合性能。产量逐渐提高，经济效益巨大
自悬浮定向流法制备纳米铜微粒及其结构表征
自悬浮定向流法 惯性约束聚变靶材料
2008/5/6
采用自悬浮定向流法制备金属铜纳米微粒，并用TEM，XRD和AES等分析手段研究了铜纳米微粒的形貌、粒度、结构及其表面氧化层特性。结果表明，在一定的参数条件下采用自悬浮定向流法可制备出单晶纳米铜微粒，并且通过工艺参数的调控可达到对微粒粒度的控制。