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搜索结果: 1-15 共查到人物 半导体技术 院士相关记录17条 . 查询时间(0.377 秒)
萨支唐(Chihtang Sah),美国微电子学家。生于中国北京。50年代初毕业于美国伊利诺大学,1954年、1956年分别获美国斯坦福大学硕士、博士学位。1959-1964年先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理,1964-1968年任美国伊利诺大学教授。1988年至今,担任美国佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家。美国国家工程院院士(1986),台湾“中研院”院士(19...
天野教授现任名古屋大学未来材料与系统研究所教授。他当选为日本工程院院士(2015)、美国工程院院士(2016)。任LEDIA国际会议主席(2012-今)、化合物半导体国际会议地区技术主席(2013-今)。
汪正平教授是香港中文大学电子工程讲座教授、工程学院院长、美国工程院院士
藤岛昭教授,1942年生于日本东京,致力于研究半导体电化学。2009年,藤岛昭教授当选欧洲科学院院士。不久前,他接受一项新的职位,担任东京理科大学校长。
庄巍是集成电路及微纳技术专家,长期从事半导体和集成电路领域的应用研究和管理工作,在先进集成电路设计等领域做出的创新型工作,应用于国民经济重要部门,推动了相关领域的突破性进展。多次承担完成国家“863计划”课题,拥有多项专利,领导具有核心自主知识产权的SoC芯片量产。研发的自主产权集成电路产品进入国际市场,在“一带一路”合作国家取得优良业绩。
王守觉,院士,男,1925年生,1980年当选为中国科学院院士(技术科学部),曾任中国科学院半导体所所长,2005年11月起聘为厦门大学双聘院士并担任现代电路与系统技术研究所名誉所长。王院士是我国微电子和ICCAD与神经元计算机领域的专家,曾是我国硅平面集成电路工艺的开拓者,近年来他在模糊逻辑和神经网络的半导体集成电路硬件实现和模型算法方面做出了系列创新性贡献,获得过多项国家级科研成果发明奖。目前...
郑有炓,南京大学电子科学与工程学院博士生导师,院士。现兼任国家重点基础研究发展计划(973计划)信息科学领域专家咨询组成员,副组长,国家半导体照明工程研发及产业联盟顾问、指导委员会委员,并在中电55所单片集成电路与模块国家重点实验室、中科院光电所微细加工光学国家重点实验室、浙江大学硅材料国家重点实 郑有炓长期致力于半导体异质结构材料、器件及物理研究,在III 族氮化物异质结构、锗硅异质结构、和硅基...
陈良惠,中国工程院院士。在国内率先实现量子阱激光器的突破,并开拓不同波长,不同功率,不同应用目标的量子阱激光器的研制、开发与工程化。在国内外发表文章100多篇。完成中科院重大项目,国家攻关、863,获国家科技进步奖和中国科学院科技进步奖多项。他主持筹建光电子器件国家工程研究中心,通过国家验收成为光电子器件的研究开发和工程化产业化基地。他曾任半导体研究所副所长,863计划光电子主题专家组副组长。目前...
王圩,中科院院士,研究员,博士生导师。近期主要从事InP基半导体光电子集成器件的研究。近十年来在应变量子阱激光器、电吸收调制器及其集成以及半导体光放大器等方面取得的主要成绩:实现了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技术,研制成功2.5Gb/s EA-MD/DFB-LD 单片集成模块,并成功地在400公里标准光纤上进行了2.5Gb/s码率的传输、采用应变渐变结构研制成功偏振不灵敏的宽带...
郑厚植,中国科学院半导体研究所院士,研究员,博士生导师。目前主要研究方向包括:低维量子结构物理和纳米量子器件、半导体自旋电子学和自旋量子器件、半导体中的量子相干过程、波函数工程和量子相干器件。最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应;他与英国学者同时独立地在国际上最早提出了分裂栅控技术,并用它实现了具有高迁移率的一维异质结量子线;首次报道了局域化由二维至一维的维度变换行为;首次从实验上证实了相位损失时间与...
王启明,中国科学院半导体研究所研究员,博士生导师,中科院院士。1985~1995曾任中科院半导体研究所所长,先后多次获国家级和院级科技进步一、二等奖。1986年始曾连续三次被评授予国家级有突出贡献中青年专家称号,1999年荣获何梁何利基金“科学与技术进步奖”,2001年被中国光学学会、电子学会和通信学会联合提名获我国光通信与集成光学杰出贡献奖。培养了50多名硕士和博士研究生。现兼职中国光学学会常务...
王守觉,中国科学院院士,半导体器件物理学家。我国半导体事业奠基人之一,1980年当选中国科学院院士。1956年参加研制了我国第一支锗晶体管。1958年负责研制成我国第一支数百兆赫的锗高频扩散晶体管,并筹建109厂为"两弹一星"计算需要的109乙机和109丙机提供了器件。获国家科委一等奖与国家发明奖。1971年研制成我国首台积木式图形发生器,并提出了IC CAD布线新算法--总体损益分析法,该自动制...
梁骏吾,中国科学院半导体研究所博士生导师,院士。他是中国科学院半导体研究所研究员,多年来从事半导体材料研究工作。其主要研究涵盖半导体材料诸多方面:包括硅、硅锗材料、碳化硅和氮化镓基材料的生长和表征。他也是中国电子学会电子材料分会主任委员。
王占国,中国科学院半导体研究所博士生导师,院士。长期从事半导体材料和材料物理研究。其中,人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果,为我国的两弹一星事业发展做出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得多项国际先进水平的成果。近年来,他和他的同事又在半导体低维结构(超晶格、量子点、量子线等)材料生长、性质和量子器件研制方面获得进展。上述成果先后获国家自...
夏建白,中国科学院院士,半导体物理专家。1939年生于上海,原籍江苏苏州。1950-1956年就读上海市西中学。1965年北京大学物理系研究生毕业,留校物理系任教。1970年起在西南物理研究院从事等离子体物理研究。1978年起到中国科学院半导体研究所从事半导体和凝聚态物理等领域的研究。从1987年起集中于半导体超晶格理论研究,在发展半导体超晶格、微结构电子态理论方面作出了创造性的贡献,在国际多种核...

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