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记者2023年12月10日获悉,工程技术研究院近日成功通过中国电子信息行业联合会的数据管理能力成熟度量化管理级认证,成为中国石油获得DCMM4级认证的首家单位。
硬质电路中的不同电子设备的连接通常是一项简单的任务,因为它们拥有成对的标准接口,形状和尺寸完美匹配。然而,柔软可拉伸电子器件,作为新兴的主要用于生物界面接口的电子设备,其器件间集成方法仍需探索,且器件与生物组织的接口无法标准化,因为生物组织不仅柔软,其形状和尺寸也多种多样,目前缺乏能够实现柔软生物组织与复杂电子界面标准化快速集成的手段。
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法,该方法利用TCAD仿真软件,依据器件实际的工艺和结构特性,建立三维仿真结构;通过调用基本物理模型,计算器件基本工作特性;将基本特性仿真结果与试验结果对比,修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数,使仿真结果最大程度与试验结果拟合;再增加电离总剂量辐射效应模型,并设置模型和材料参数,计算器件的总剂量辐射损伤特性;将器件辐射损伤特性仿真结果...
中国科学院合肥物质科学研究院专利:静态与动态均流的大电流电子开关
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种自动监测仿真及其并行化处理的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种虚拟仿真系统中力觉反馈的计算方法
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法,该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数;确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件;获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度;提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声;获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率;基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程;基于Arrhenius方...
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法,该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同,总剂量辐射损伤特性不同,进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态,计算晶体管总剂量辐射损伤,实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
近日,由中国科协牵头,中国科学技术信息研究所、《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司、清华大学图书馆、万方数据有限公司、中国高校科技期刊研究会和中国科学技术期刊编辑学会联合研发的《科技期刊世界影响力指数(WJCI)报告》2023年版正式发布。
2023年11月30日,江苏省柔性电子重点实验室(全国重点实验室培育建设点)2023年学术委员会会议顺利召开。本届学术委员会由东南大学崔铁军院士担任主任,复旦大学彭慧胜院士、山西大学贾锁堂教授、常州大学王建浦教授和瑞典林雪平大学高峰教授担任副主任,黄维、李树深、郝跃、黄如、郭万林、周济、刘益春、张荣、刘小钢等院士担任学术委员会顾问,陈军、俞书宏、张跃、张华、冷劲松、马於光、胡事民等院士和专家担任学...
2023年12月3日,由中国电子学会主办的“2023年全国大学生嵌入式芯片与系统设计竞赛——FPGA创新设计竞赛”全国总决赛获奖名单公布。我院参赛队伍获得国家一等奖1项并获得易灵思杯、国家二等奖1项、国家三等奖5项,南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院获优秀组织奖。
王香,硕士研究生,副教授,本科毕业于聊城大学电子信息科学与技术专业,硕士毕业于山东大学软件工程专业,电子与通信工程教研室专任教师,青年教学能手。
王树昆,硕士生导师,教授,中国电子学会高级会员,山东省科技发展计划项目评审专家,山东省自主创新成果转化重大专项验收鉴定专家,山东省国家战略性创新产品和国家重点新产品计划项目推荐评审专家,山东省高等学校质量工程项目评审专家,河北省科技奖励评审专家。
本发明涉及一种提升珠状耐高温热敏电阻器抗热冲击性能的封装方法,该方法采用母相玻璃玻璃化转变温度为760?800℃的玻璃陶瓷封装热敏电阻,将玻璃粉粘稠浆料涂覆于珠状热敏电阻表面后,在温度900℃经一次热处理,在转化为玻璃陶瓷的同时形成封装结构,既能够实现封装层在敏感体陶瓷表面的良好浸润,进而形成致密的封装结构,且封装后的热敏电阻器抗热冲击性能显著提高,可耐受室温?900℃热冲击1000次,且零功率电...

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