搜索结果: 1-15 共查到“电子技术 MOSFET”相关记录26条 . 查询时间(0.185 秒)
电子科技大学微电子器件课件5-9 MOSFET的结构及发展方向。
电子科技大学微电子器件课件5-6 MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性。
电子科技大学微电子器件课件5-5 MOSFET的直流参数与温度特性。
电子科技大学微电子器件课件5-4 MOSFET的亚阈区导电。
电子科技大学微电子器件课件5-3 MOSFET的输出特性。
电子科技大学微电子器件课件5-2 MOSFET的阈电压。
近日，我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在III-V族半导体界面钝化及MOSFET器件领域取得重要进展。该组2篇研究文章《Interface modulation and optimization of electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ALD-derived Al2O3 passivation layer and formin...
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。碳化硅电力电子器件，特别是SiC MOSFET器件是下一代高效电力电...
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在高迁移率锗锡沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展。该团队在2014年6月8日到12日美国夏威夷举行的IEEE VLSI Symposia Technology and Circuits（简称VLSI年会）上报告了题为《Undoped Ge0.92Sn0.08 Quantum Well PMOSFETs on (001), (...
1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究
碳化硅 功率MOSFET 非钳位重复应力 退化
2017/1/4
本文首次研究了1.2kV碳化硅(Silicon Carbide,SiC)MOSFET在非钳位重复应力(Unclamped Repetitive Stress,URS)应力下的退化现象,并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析.研究结果表明:URS应力会使得器件积累区由于碰撞电离产生大量的电子空穴对,其中的热空穴将在电场的作用下注入到氧化层中,使氧化层中出现许多空间正电荷,这些空间正电...
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15～45nm MOSFET的二维电势和电流.
An approach based on particle swarm computation to study the nanoscale DG MOSFET-based circuits
Particle Swarm DG MOSFET Optimization nanoscale compact model
2010/11/22
The analytical modeling of nanoscale Double-Gate MOSFETs (DG) requires generally several necessary simplifying assumptions to lead to compact expressions of current-voltage characteristics for nanosca...
基于MOSFET的6×10单元快速固态调制器
固态调制器 现场可编程门阵列 功率驱动 感应叠加
2009/8/21
利用快速高重复频率的脉冲凸轨技术可以实现合肥光源的光脉冲间隔的可调。为了获得这一快速高重复频率的强流短脉冲，采取基于MOSFET的固态调制器技术。设计出了一套10路MOSFET开关并联、6级感应叠加的实验样机结构，包括快速时钟信号产生、功率驱动电路设计、感应叠加式阵列结构。样机获得了底宽为100 ns、重复频率20 kHz、峰值电流60 A、峰值电压2 kV的功率脉冲。
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电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第四章 MOSFET及其放大电路4.5。