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2020年12月12-18日，2020 IEEE国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting，IEDM）在美国旧金山通过线上召开。电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）功率集成技术实验室（PITEL）在大会上发表题为《An Improved Model on Buried-Oxide Damage for Total-Ionizing-...
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展，首次通过实验系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。日前，在美国旧金山举行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting（简称IEDM）会议上报道了该研究成果，并收录...

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