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近日,我所超快时间分辨光谱与动力学研究组(1110组)金盛烨研究员团队在二维钙钛矿量子阱材料中载流子动力学研究工作中取得新进展,发现突破激子迁移极限的长距离载流子输运现象。二维(2D)有机无机杂化钙钛矿半导体量子阱材料是在三维(3D)钙钛矿晶格中插入长链有机卤化胺配体形成的。由于2D钙钛矿具有独特的性质,如柔性结构,大的激子结合能,易调谐带隙,以及显著提高的耐湿性,使得其在光电和量子器件应用领域得...
北京工业大学电子信息材料课件第3章 热平衡下半导体中载流子的统计分布。
MOSFET中载流子能量输运计算机辅助分析
金属-氧化物-半导体场效应晶体管 能量输运 数值模拟
2009/10/20
本文提出了能量输运问题的二维MOSFET的数值模拟,其中计入了产生、复合以及载流子的温度梯度对器件特性的影响;还提出了改进的迁移率模型。对微米和亚微米MOSFET样品的模拟结果表明,本文所提出的模型和方法与实验符合得很好。