搜索结果: 1-4 共查到“电子科学与技术 温度特性”相关记录4条 . 查询时间(0.122 秒)
电子科技大学微电子器件课件5-5 MOSFET的直流参数与温度特性。
考虑热电耦合效应的全芯片温度特性优化方法
延时 功耗 缓冲器插入
2009/12/9
针对全局互连延时已成为制约电路性能的关键因素问题，提出了一种全芯片温度特性优化方法，使功耗和温度间的反馈在功耗模型与HotSpot软件结合运算数次后收敛，根据收敛结果确定优化方向．该方法同时考虑了延时、功耗和温度三者间的热电耦合效应．采用该方法对 90nm工艺的AMD Athlon 64 处理器进行仿真验证，结果表明，采用这种方法优化得到的芯片功耗和温度均有显著下降，芯片温度梯度也明显改善，芯片温...
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
冻析效应 普尔-弗兰克效应 体漏电流
2009/5/27
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应，对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正，分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因．结果表明：界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小；漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素，且缺陷密度越大，该值随温度增长的速度越快．