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中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展（图）
三维神经 形态计算 微电子
2024/2/28
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列，其中不同层器件分别具有非易失性和易失性，这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件（字线：TiN）和第2层器件（字线：Ru）分别表现出不同的动态特性，可以用于构建多时间尺度储备池计算网络；第3层器（WL：W）表现出了多比特存储的非易失特性，可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
三维神经微电极阵列新制作技术研究
微加工 电镀 微电极阵列 PDMS(Polydimethylsiloxane 聚二甲基硅氧烷
2014/5/14
尝试了一种低成本的三维微电极阵列微加工的新方法。玻璃划片形成的柱状阵列，经掩膜腐蚀后形成阳模板，再利用PDMS的微复制技术形成阴模板。利用阴模板进行电镀，可以得到三维微电极阵列。制作的铜电极阵列高度约180m，为制作更长的神经微电极阵列打下了基础。