工学 >>> 电子科学与技术 >>> 电子科学与技术其他学科 >>>
搜索结果: 1-1 共查到“电子科学与技术其他学科 能态密度特性”相关记录1条 . 查询时间(0.131 秒)
基于平面波展开法，以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体，并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙，形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大，f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙，AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。

中国研究生教育排行榜-条

正在加载...

中国学术期刊排行榜-条

正在加载...

世界大学科研机构排行榜-条

正在加载...

中国大学排行榜-条

正在加载...

人　物-篇

正在加载...

课　件-篇

正在加载...

视听资料-篇

正在加载...

研招资料 -篇

正在加载...

知识要闻-篇

正在加载...

国际动态-篇

正在加载...

会议中心-篇

正在加载...

学术指南-篇

正在加载...

学术站点-篇

正在加载...