搜索结果: 1-5 共查到“电子科学与技术 框架材料”相关记录5条 . 查询时间(0.136 秒)
中国科学院宁波材料所等在sp2碳共轭有机框架材料构筑方面获进展（图）
有机框架材料 半导体材料
2024/1/26
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性，导致sp2c-COFs合成困难并限...
上海高等研究院在框架材料用于金离子捕获研究取得进展（图）
框架材料 金离子高效吸附 电子器件
2024/1/16
2023年12月18日，中国科学院上海高等研究院曾高峰/徐庆团队与国家纳米中心丁雪松博士合作在共价有机框架（COFs）骨架工程策略用于金离子高效吸附方面的研究取得重要进展，相关成果以“Modulating Skeletons of Covalent Organic Framework for High-Efficiency Gold Recovery”为题发表在Angewandte Chemie ...
大规模集成电路用高强度高导电引线框架材料Cu-Cr-Zr合金的研究
集成电路 引线 Cu-Cr-Zr合金
2008/10/30
首先研究了时效温度、时间及时效前变形量对合金时效后的组织与性能的影响，结果表明：合金在600℃时效时可获得较高的导电性；而在450-470℃温度范围内时效时可获得较高的显微硬度；合金时效，析出相为单质Cr和Cu4Zr，且呈细小弥散分布。合金实效后再加以冷变形可提高合金的显微硬度，而导电率略有下降。本课题借助于Cu-Cr-Zr-Mg合金时效过程中导电率与析出相间的内在关系建立了合金导电率与体积分数...
大规模集成电路用高强度铜基引线框架材料的研制
引线带材 电子器件 集成电路
2008/10/30
深入系统地研究了热加工工艺、冷加工工艺及时效工艺对合金组织和性能的影响规律，以及时效析出与回复再结晶过程的交互作用，在该基础上优化并设计出 Cu-Ni-Si带材整个加工工艺流程。在优化的带材加工工艺流程上，研制出的Cu-Ni-Si合金引线框架薄带，经测试，其性能指标如下：显微硬度力：231一265HV，抗拉强度为：750一820MPa，导电率为：43-48％IACS，延伸率为6-7％，反复弯曲次数...
大规模集成电路用铜基引线框架材料及异型铜带的研究开发
集成电路 异型铜带
2008/10/30
该项目综合采用微量多元合金化和形变强化原理对框架用铜合金进行成分设计和优化，进行了合金时效析出机理与性能预测，研究了板带热加工与热处理过程中强化相析出与再结晶的交互作用，热轧板坯余热在线固溶处理及对合金组织及性能的影响。在材料的微合金化设计，微量元素的精确控制技术，材料的形变热处理技术，材料的表面处理技术，板带的残余应力控制技术和板型控制技术，材料的应用性能研究取得了重大突破。该成果使铜合金...