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有机发光晶体管(OLETs)是一种兼具有机场效应晶体管(OFETs)和有机发光二极管(OLEDs)功能的小型化光电集成器件,独特的电压驱动模式使其具有与现有制备工艺兼容、集成更容易等优势,被认为是实现下一代新型显示技术的重要器件基元。此外,OLET特有的栅压调控功能为实现高效的电子空穴传输及复合提供了新途径,使其在数据通信、照明、智能全彩显示技术以及高密度柔性可视化传感器等方面显示出应用潜力。
中国科学院微电子研究所专利:多栅晶体管及其制造方法
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料,对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求,亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题,进而开发大直径单晶晶体生长技术,实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控,满足射频、存储等领域的应用需求。
垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等优势,在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。
芯片是信息技术产业的核心,是支撑社会经济发展和保障国家安全的关键之一。在传统CMOS微缩可能面临终结的关键时刻,以新材料、新结构和新原理为主要特征的超低功耗微电子器件技术,有望提供集成电路发展的新途径,是突破当前集成电路芯片领域存在的瓶颈的有效途径。其中,利用单个分子构建光电子元器件得到了广泛的关注。单分子器件可以将器件尺寸缩小至单分子水平,可以作为存储器、二极管、场效应晶体管及开关等,其中单分子...
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器(三)。
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器(二)。
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器(一)。
随着动态随机存储器存储密度的提升,电容加工的技术难度和成本大幅度提高,成为制约动态随机存储器发展的关键性因素。因此,科研人员一直在寻找可以用于制造动态随机存储器的无电容器件技术。专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学)张卫教授团队长期以来一直从事集成电路工艺和新型半导体器件的研发,于近期取得重大突破,成功研发出半浮栅晶体管(SFGT)。采用该新器件构成的动态随机存储器,无需电容器便可实现传统动...
本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。

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