搜索结果: 61-75 共查到“半导体技术 晶体”相关记录78条 . 查询时间(0.266 秒)
低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟
双极晶体管 多晶硅发射极 电流增益
2009/9/1
本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。
多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究
双极晶体管 多晶硅发射极 截止频率
2009/9/1
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第二章 双极型晶体三极管（BJT）2.5。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第二章 双极型晶体三极管（BJT）2.4。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第二章 双极型晶体三极管（BJT）2.3。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第二章 双极型晶体三极管（BJT）2.2。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第二章 双极型晶体三极管（BJT）2.1。
国产MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的初步探讨
晶体管 国产MOS场效应
2008/12/11
阐述了引起MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对p沟MOS晶体管所做的加速试验的结果。对国产MOS晶体管的阈值电压进行了BT试验。同一类型的管子在不同应力下观察到类似的现象。作图表示阈值电压漂移的平均值随应力时间的变化,从而确定漂移机构。
结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析
结型场效应 晶体管 霍耳效应 理论分析
2008/10/9
本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的霍耳效应.利用“准平面”拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同掺杂浓度、栅电压、漏电压以及n沟-Si器件不同宽长比的霍耳电势分布与磁灵敏度. 结果表明:当器件宽长比(w/L)(?)1—2时,典型的电压性磁灵敏度为～10mV/V·kG,电流性磁灵敏度为 10~2-10~3mV/mA·kG.据此,提出了一种灵敏度高、有良好工作稳定性及噪声性能的霍耳器件——结型场...
有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术
有机半导体 薄膜晶体管材料 器件技术
2008/9/27
国科学院长春应用化学研究所闫东航研究员承担“有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术”项目。经过三年的努力研究，在高迁移率有机半导体材料方面，实现了通过两种或两种以上有机共轭分子的层状复合、共晶的物理途径制备高迁移率有机半导体薄膜的新方法，并发展出系列迁移率能够提高一个数量级、综合性能达到非晶硅水平的有机半导体薄膜和能够降低接触电阻的晶体管器件，被美国贝尔实验室发表的进展综述作为六个子题目之一(Redu...
一种平面型GaAs场效应晶体管
平面型 GaAs场效应 晶体管
2008/9/24
本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结果.将制得的平面器件与通常的台武器件作了比较.看出平面型器件在微波特性和制作工艺上具有明显优点.
我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功（图）
ZnO纳米材料 晶体管
2008/9/16
近日，中科院微电子所依靠独立开发的全新技术，成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。
ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等)具有较常规体材料更为优越的性能，在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景，引起了国际学术界的极大关注。目前，国内的研究集中在材料生长和二极管器件制备方面。
中科院微电子所张海英研究员领导的课题组，使用...
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
2008/8/6
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26.5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量...
低成本有机场效应晶体管研究取得新进展
中国科学院化学研究所
2008/6/11
在国家自然科学基金委、科技部和中科院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室的研究人员在有机场效应晶体管的研究方面又取得新进展，有关研究成果发表在近期的Adv. Mater. (2008, 20, 1286－1290)上。
近年来，有机场效应晶体管由于在大面积、柔性化和低成本有源矩阵显示、射频标签等方面的潜在应用前景而备受学术界和工业界的关注，并取得了长足的发展。目前高性能有机场效应...