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西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第五章 金属半导体场效应晶体管。
西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第四章 异质结双极型晶体管。
中国科学院上海硅酸盐研究所余建定研究员团队在太空晶体生长研究中取得重要进展，在国际上首次研制出铟含量高达11%且成分均匀、一致的InxGa1-xSb三元光电晶体。相关研究结果发表于国际学术期刊《微重力》（npj Microgravity）。2016年4月，我国首颗微重力科学实验卫星——“实践十号”返回式科学卫星搭载着由中国科学院上海硅酸盐研究所等研究机构联合研制的空间材料科学实验有效载荷—“多功能...
实现高质量低维半导体材料及异质结构，建立结构及能带的精确调控方法，是新型光电信息材料及集成器件研究的核心。在国家自然科学基金、湖南省科技计划等相关项目的支持下，我校纳米光子与集成器件研究团队王笑教授等致力于新型二维原子晶体及异质结可控制备和光电性能调控方面的研究，近期取得了多项重要进展。二维原子晶体例如过渡金属硫族化物（TMDCs）由于其独特的光学和电学特性，近年来受到了广泛关注。TMDCs具有1...
近年来，半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明，新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后，通过实验证实了这类材料存在能谷极化现象，并具有从紫外拓展到可见光、近红外以及远红外波段的可调能隙功能，相关研究近日发表在《纳米通讯》上，。
中国科学院物理研究所二维材料构筑超短沟道晶体管研究获进展（图）
中国科学院物理研究所 二维材料 超短沟道 晶体管
2018/2/9
传统硅基半导体器件的小型化进程逐渐接近其物理极限，寻找新的材料、发展新的技术使器件尺寸进一步缩小仍是该领域的发展趋势。传统硅基场效应晶体管要求沟道厚度小于沟道长度的1/3，以有效避免短沟道效应。但受传统半导体材料限制，沟道厚度不能持续减小。近年来，利用二维半导体材料来构造短沟道晶体管器件已经成为一个前沿探索的热点课题。二维材料因其达到物理极限的厚度成为一种构造超短沟道晶体管的潜在材料，理论上可以有...
中国科学院物理研究所二维原子晶体锑烯研究取得进展（图）
中国科学院物理研究所 二维原子晶体 锑烯研究
2017/12/29
未来信息技术需要低功耗、高性能的晶体管，国际半导体技术路线图描绘的未来晶体管通道长度小于10纳米。近年来的研究热点之一二维（2D）原子晶体材料与传统半导体材料相比，具有散射小、迁移率高、便于制备叠层异质结构、电学性质易于调控等特性，成为制作未来晶体管的优秀候选材料之一。在已发现的二维原子晶体材料中，由元素周期表中IV族元素构成的单层材料（例如石墨烯，硅烯，锗烯和锡烯等）具有高载流子迁移率，但由于其...
中国科学技术大学在二维材料半导体量子晶体管研究中取得重要进展（图）
中国科学技术大学 二维材料 半导体 量子晶体管
2017/10/25
我校郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室在半导体门控量子点的研究中取得重要进展。该实验室郭国平教授研究组与其合作者深入探索二维层状过渡金属硫族化合物应用于半导体量子芯片的可能性，实验上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件。该成果于10月20日在线发表在《科学·进展》（Science Advances）杂志上。经过几十年的发展，半导体门控量子点作为一种量子晶体管已经成为量子...
同济大学黄佳教授课题组有机晶体管传感器研究取得系列重要进展（图）
同济大学 黄佳教授课题组 有机晶体管 传感器研究
2017/9/27
对有害化学物质的检测在环境保护、食品安全、医疗卫生、工业生产以及国防军事等方面都至关重要，而对光、温度与压力的灵敏感知在人工智能、人机界面、智能机器人、人工电子皮肤、可穿戴设备等前沿科研领域也极其重要。基于场效应晶体管的传感器兼具传感与信号放大的功能，具有简单便携、高灵敏和高选择性等优势，并且部分有机半导体材料具有可以生物兼容和降解的潜力，因而有机晶体管传感器在上述科研与应用领域大有用武之地。
0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
2017/8/22
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
俄罗斯科学家发现新型分子添加剂可显著提高有机晶体管性能
俄罗斯科学家 新型分子添加剂 有机晶体管性能
2016/7/26
莫斯科国立大学的化学家近日发现了一种新型分子添加剂，可显著提高有机晶体管的性能，该材料未来有望成为有机电子学发展的重要基础。相关研究成果发表在《先进材料》杂志上。这种新分子材料类似放射状胶质细胞，可以作为聚合物基质添加剂使用。莫斯科国立大学研究人员德米特里·伊万诺夫介绍，现有的聚合物添加剂大部分只能在无机半导体上使用，如目前最常使用的氟化添加剂，它并不适用于塑料电子学领域的大部分多聚物。通过与德国...
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第五章 晶体管-晶体管逻辑电路。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第三章 集成电路中的晶体管及其寄生效应。
伴随石墨烯研究的兴起，其它二维原子晶体也陆续进入人们的研究视野。其中，六方氮化硼（h-BN）逐渐成为该领域的又一亮点。高度相似的晶体结构赋予h-BN与石墨烯一些共同特性，如极高的面内弹性模量、高温稳定性、原子级平滑的表面。由于两者晶格失配很小，石墨烯可以均匀紧密地铺展在h-BN衬底上，特别是，h-BN表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在，有利于还原本征石墨烯极高的载流子迁移率。此外，h-BN具有宽禁带...
西安电子科技大学微电子学院半导体器件物理课件 集成电路中的双极晶体管。