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搜索结果: 1-7 共查到电子科学与技术 洪宇相关记录7条 . 查询时间(0.098 秒)
近日,深港微电子学院院长于洪宇教授、深港微电子学院李毅达助理教授、南方科技大学公共分析检测中心瞿学选老师访问了新加坡微电子研究所IME A*STAR以及新加坡国立大学(NUS)和新加坡理工学院(SIT)等新加坡大学,对中国与新加坡如何合作开展半导体技术研发,以满足全球微电子市场的需求,以及深港微电子学院与新加坡教育和研究机构如何合作培养半导体行业人才等方面展开了深入交流。
2023年2月26日上午,“芯之所向 任屏想象”湖畔光芯首届元宇宙院士论坛暨产品发布会在宜兴召开。活动发布了含1.31英寸硅基OLED微型显示器在内的多款Micro OLED系列产品,邀请海内外院士专家、业界精英、企业代表齐聚论坛,对话产业未来发展,见证湖畔光芯与世界一流品牌强强联合。深港微电子学院院长于洪宇教授应邀出席发布会,并做主题报告。
近日,南方科大学深港微电子学院院长于洪宇教授团队在GaN器件研究中取得系列重要进展,研究成果相继发表在在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters(EDL)、Applied Physics Letters(APL)及IEEE Transactions on Electron Devices(TED)期刊上。相关工作获得国家自然科学基金面上项目、广东省重点领域研发...
近日,应深圳市中兴微电子技术有限公司邀请,南科大深港微电子学院于洪宇院长带队前往中兴通讯股份有限公司和深圳市中兴微电子技术有限公司参观交流,同行的有深港微电子学院祝渊、高源、周菲迟等几位老师。
近日,南方科技大学工学院国家示范性微电子学院于洪宇院长团队在宽禁带半导体材料和器件领域取得重要进展,特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、实现低磁滞和高稳定性的HfO2/GaN MIS-HEMT器件、精确控制InAlN/GaN异质结构刻蚀深度和表面形貌的新型原子层刻蚀技术,以及高性能Ga2O3功率二极管制备。...
洪宇,理学博士,副研究员,华南师范大学“青年拔尖人才”。从2009年起,致力于半导体光电材料与器件领域的研究工作,参加过973等国家重大课题的研究工作,目前作为项目负责人主持了国家自然科学基金面上项目等9项课题的研究工作。在Mater. Today、Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、ACS Nano等国内外重要学术期刊上发表论文40余篇,其中第一/通讯作者论文20余篇...
近日,南科大深港微电子学院院长于洪宇教授团队在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展,相关成果分别在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices以及IOP Semiconductor Science and Technology 线上发表。

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