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近日，华南理工大学微电子学院两名研究生的毫米波芯片研究成果论文《A 52-to-73GHz Tri-Coupled Transformer Based Noise Self-Canceling and Gm-Boosting LNA with 3.78dB NF and 22.4dB Gain in 40nm CMOS》《A 52-67 GHz Ultra-Compact Bi-direction...
南方科技大学深港微电子学院余浩教授课题组在毫米波电路设计领域顶级期刊IEEE TMTT发表太赫兹通信芯片研究成果（图）
南方科技大学深港微电子学院 余浩 毫米波电路设计 IEEE TMTT 太赫兹通信芯片
2022/10/18
近日，南方科技大学深港微电子学院余浩教授课题组在高性能片上超材料等离子体I/O芯片（Silicon Surface Plasmonic I/O Interface）方向取得突出成果。余浩教授课题组采用 65nm CMOS工艺，成功设计和验证了一款140GHz 13.5Gb/s表面等离子体I/O通信收发系统。相关成果以“A 13.5-Gb/s 140-GHz Silicon Redriver Exp...
由天津大学主办，天津大学微电子学院承办，北京邮电大学、中国空间技术研究院西安分院(国家空间微波科学技术重点实验室)、河北工业大学协办的第十三届英国-欧洲-中国毫米波太赫兹技术研讨会（UCMMT2020）与2020年8月29-31日在线上成功举办，吸引了包括国内外高校的知名专家、青年学者、学生代表、国内外知名公司企业代表等共200余人参加。会议于8月29日下午3点准时开始。开幕式由天津大学微电子学院...
中科院微电子所毫米波GaN功率器件研制成功（图）
中科院微电子所 毫米波GaN功率器件
2010/1/20
近日，毫米波GaN功率器件在中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。
微电子所毫米波GaN功率器件研制成功
功率 器件
2011/11/4
近日，毫米波GaN功率器件在微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。毫米波GaN功率器件采用凹栅槽与T型栅结合的新结构，有效缩短了栅长，降低了寄生电容。其截止频率（fT）104.3GHz，最高振荡频率（fmax）达到160GHz。30G下MAG达到13.26dBm，并进行了30G下的功率测试，是国内目前已知相关研究中的最高频性能。