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韩国开发新一代快闪存储芯片
韩国 新一代 快闪存储芯片
2017/5/15
存储芯片行业在平面上增加存储数据的存储单元上存在着局限性，人们一直通过纵向堆积的3D技术来扩展容量。例如，韩国SK海力士（Hynix）公司的存储单元最高值为48层。该公司最近公布他们的技术可以将存储单元提升至72层。通过这一技术，该公司成功开发出72层256Gb容量的闪存存储芯片。