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近红外二区成像组织穿透深，时空分辨率高，对于成像引导疾病的诊断和治疗具有重要意义。该领域发展的瓶颈化学问题是近红外分子探针发光强度低。北京大学化学与分子工程学院张俊龙课题组致力于发光稀土配合物的设计和合成，利用稀土f-f特征跃迁的特点，将近红外二区探针的研究范围从金属纳米材料、共轭聚合物、有机小分子拓展到金属配合物。该课题组在2017年报道的镱卟啉配合物量子产率高达25%（氘代溶剂中为67%）。其...
北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组成功解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
北京大学化学与分子工程学院 彭海琳 课题组 超高迁移率层状 Bi2O2Se 半导体 电子结构
2018/9/19
近日，北京大学的彭海琳教授课题组与牛津大学的陈宇林教授团队合作，揭示了超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。他们首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O...
北京大学生物有机与分子工程教育部重点实验室2017年度工作报告。
2016年12月29日，由教育部科学技术委员会组织评选的2016年度“中国高等学校十大科技进展”在北京揭晓，北京大学化学与分子工程学院郭雪峰教授负责完成的科研成果“世界首例真实稳定可控的单分子电子开关器件”入选。北京大学同时入选的还有物理学院孟杰教授负责完成的科研成果“发现原子核手征对称性和空间反射对称性的联立自发破缺”。
北京大学化学与分子工程学院李彦教授课题组在单壁碳纳米管手性可控生长研究上取得重要突破，该项成果于2014年6月26日在《自然》杂志上发表（Nature, DOI 10.1038/nature13434）。据预测，基于硅基CMOS集成电路的微电子技术在未来十年左右将趋近于发展的极限，发展后摩尔时代的纳电子技术已迫在眉睫。2009年，国际半导体路线图委员会推荐基于碳纳米管和石墨烯的碳基电子学技术作为未...
